برچسب تکنیک - یاری فایل

نانوتکنولوژی تولید مولکولی یا به عبارت دیگر ، ساخت اشیاء در سایزهای اتم به اتم، مولکول به مولکول توسط روبات های برنامه‌ریزی شده در مقیاس نانومتریک است و نانومتر یک میلیاردم متر است

جمهوری اسلامی ایران، فناوری نانو را به عنوان اولویت اصلی فناوری کشور انتخاب نموده و برای آن برنامه ریزی می کند. تشکیل ستاد ویژة توسعة فناوری نانو با هدف برنامه ریزی بلند مدت و نظارت بر تحقق اهداف نیز در همین راستا می باشد.بر اساس بند ب مادة 43 برنامة چهارم توسعه کشور، دولت باید در سال اول برنامه، سند جامع توسعة فناوری نانو را به تصویب برساند که تدوین این سند توسط ستاد انجام شد و در حال ارائه به هیأت دولت می باشد .

نانو تکنولوژی و میکرو الکترونیک

دانش میکروالکترونیک امروزه گسترش چشمگیری پیدا کرده است . طبق تئوری scaling که در شرکت IBM مطرح شد ، کاهش ابعاد ترانسیزتور CMOS منجر به بهبود سرعت ، قیمت و توان مصرفی می شود

بنابراین سایز ترانزیستورها هر 3 سال به طور متوسط 0.7 برابر کوچکتر شده است اما به دلیل قوانین مکانیک کوانتوم محدودیت تکنیک های ساخت ممکن است . از کاهش بیش از این از لحاظ اندازه در ترازیستورهای FET معمولی جلوگیری شود و در یکی دو دهه آینده با روش های متداول ساخت در ابعاد زیر 50 نانومتر متوقف شود به این ترتیب کوچک سازی عناصر مدارها تا به حد نانومتری حتی در اندازه مولکولی محققان را به سمتی سوق می دهد که در جهت افزایش قدرت و کارایی ترانزیستور ها خیلی بیشتر از حالت معمولی فعالیت می کنند دستگاههای نانومتری جدید می توانند در دو حالت سوییچ و آمپلی فایر ایفای نقش می کنند با وجود این بر عکس FET های امروزی که عمل آنها بر اساس جابه جایی اجرام الکترونها در حجم ماده می باشند دستگاههای جدید بر اساس پدیده مکانیکی کوانتومی عمل می کنند و در اندازه نانومتری ظاهر می شوند.

در سیستم های مجتمع فوق العاده فشرده امروزی ULSI که ضخامت اکسید گیت آنها به چند لایه اتمی می رسد .

تفاوت اساسی میان تکنولوژی ULSI و نانوتکنولوژی تفاوت میان روش پیاده سازی "بالا به پایین " و " پایین به بالا "برای تولید یک محصول است در روش بالا به پایین مساله اصلی هزینه بسیار زیاد کوچک تر کردن ابعاد ترانزیستورها با روش لیتوگرافی است ، در حالی که هدف اصلی تکنولوژی ULSI کاهش هزینه ها بر بیت در حافظه ها و هزینه بر سوییچ در مدارات منطقی بوده است. از آن سو در روش پایین به بالا انتظار می رود که با استفاده از روش های پیچیده شیمیایی و طراحی مولکولی بتوان بلوک های پایه سیستم را پیاده سازی کرد .اما مساله اصلی یکنواختی و قابلیت اطمینان سیستم در مقیاس وسیع است . اگر بتوان معماری فعلی مدارات مجتمع را بر اساس روش پایین به بالا و با قابلیت اطمینان بالا پیاده کرد ، نانو تکنولوژی اهمیت فوق العاده در توسعه صنعت IC پیدا میکند.

در تکنولوژی ULSI از آنجایی که کارآمدی سیستم مورد نظر است بیشترین درجه آزادی در طراحی سیستم و سپس طراحی مدار وجود دارد ، لذا فرآیند ساخت و ادوات نیمه هادی مثل ترانزیستورها کمترین تنوع را دارند . متقابلا در نانو تکنولوژی بلوکهای پایه متنوعی با کارآمدی بالا وجود دارند در حالی که معماری سیستم وارتباط بین بلوک ها به خوبی در نظر گرفته نشده است .

به هر حال دو روش برای توسعه نانو الکترنیک متصور است . روش اول آن که نانو تکنولوژی با تکنولوژی موجود ULSI ترکیب شود . تلفیق رشته هایی مثل بیوتکنولوژی و الکترونیک ترکیب بازار صنعت داروسازی و صنعت نیمه هادی و نهایتا پیاده سازی سیستم های مجتمع که از مواد و اجزا متنوعی تشکیل شده اند از نتایج این روش به شمار می ایند. روش دوم آن که نانوتکنولوژی جایگزین تکنولوژی ULSI شود .این در صورتی مقدور خواهد بود که بتوان سیستم های فعلی را با کارکرد بهتر و قیمت پایین تر به روش پایین به بالا پیاده سازی کرد.

ضرورت آگاهی یافتن به کلیه علوم و فنون رایج جهان و نیز پاسخگویی به علاقه جوانان پرشور و جویایی علم ایجاب می کند که مطالبی راجع به فرستنده های رادیویی در اختیار علاقمندان قرار بگیرد.

با نگاهی گذرا به بعد از پیروزی انقلاب اسلامی به تحولات به وجود آمده در نوع فرستنده های رادیویی واقعاً پیشرفت های زیادی در حوزه فرستنده های رادیویی بوجود آمده است ، اوایل انقلاب فرستنده های رادیویی موجود لامپی بود بعد با تلاش نیروهای داخلی شروع به ساخت و طراحی فرستنده های رادیویی ترانزیستوری با قدرت و توان بالا تا حد 1000KW و جایگزین نمودن با فرستنده های رادیویی لامپی،و در حال حاضر بر روی فرستنده های رادیویی دیجیتال کار نموده و در مراحل پخش آزمایشی می باشند.

و زمانی به عظمت این گونه درستاوردها پی خواهیم بُرد،که ملت ما را درخصوص قطعات الکترونیکی چقدر در تحریم قرار داده بودند(مثلاً قطعات الکترونیکی فرکانس بالا که در سیستم ارسال سیگنال ماهواره کاربرد ما را تحریم کردند که هیچ بلکه کل خاورمیانه در تحریم می باشد) ولی این امر مانع تلاش دانشمندان و محققان دلسوز این مرز بوم نشد بلکه مصمم کرد تا اینکه ما هر روز شاهد دستاورد این عزیزان هستم ، و به امید روزی که ما نیز جزو کشورهای باشیم که در هر زمینه در دنیا حرف اوّل را بزنیم.مطالب مطرح شده در زمینه فرستنده های رادیویی به صورت ذیل مطرح خواهد شد؛سعی شده است برای استفاده همگان در حد امکان ساده نگاشته شود.

مهندسی برای نیازمندهای جنگی،نقش با اهمیت داشته اند. بنابراین ،تاریخجه شناخت انتشار امواج و پیدایش و تکمیل آنتها را میتوان بطور طبیعی ، چهار دوره با مشخصات ویژه تقسیم کرد.

دوره اول آغاز فعالیتهای مخابراتی در سال 1877م تا پایان جنگ جهانی اول است ؛ دوره دوم فاصله بین دو جنگ جهانی است. دوره سوم سالهای جنگ جهانی دوم و در نهایت دوره چهارم از پایان جنگ جهانی دوم تاکنون مباشد.

هرتز در سال 1877م با انجام آزمایشهای کلاسیک برای نخستین بار انتشار امواج الکتریکی و مغناطیسی را در فضا نشان داد؛ آنتن های فرستنده وگیرنده را در دو طرف اتاق قرار داد.

آنتن فرستنده از دو صفحه مربع شکل 40×40سانتی متر مربع در بالا و پایان ساخته بود که هریک از آنها به میله ای به طول 30 سانتی مترمتصل بود و انتهای دیگر میله ها به دو کره کوچک ختم میشد،فاصله این دو کره 7میلی متر بود؛ تحریک آنتن بوسیله دستگاه همانند ترانسفورماتور انجام میشد. اولیه ، تعداد دورهای کمتر از منبع جریان

دانلود با لینک مستقیم

تحقیق درباره الکترو تکنیک

تحقیق درباره الکترو تکنیک تکنیکفناوری نانو هنر و علم دستکاری

yarafile چهارشنبه 13 اردیبهشت 1396 ساعت 03:56

0 نظر

تحقیق درمورد تکنیک های پراش SAS

اختصاصی از یاری فایل تحقیق درمورد تکنیک های پراش SAS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق درمورد تکنیک های پراش SAS

فرمت فایل: ورد ( قابلیت ویرایش )

قسمتی از محتوی متن ...

تعداد صفحات : 75 صفحه

فهرست مقدمه 4 چکیده 6 فصل اول تکنیک های پراش با زاویه کوچک(SAS) 7 1-1- تکنیک های پراکندگی زاویه کوچک (SAS) 8 2-1- پخش (ارسال) نوری: 17 3-1- ارسال نوترون زاویه کوچک( (SANS 21 فصل دوم تئوری SAXS 24 1-2- قانون Guinier و شعاع دوران 29 2-2- تداخل بین ذره ای (Interparticle Interference) 31 فصل سوم تجهیزات (SAXS) 33 1-3- تجهیزات آشکارسازی شمارنده ای 34 1-1-3- دیفرکتومتر چهار شکافی (Four –Slit diffractomter) 35 2-3- دوربینهای شناسایی فتوگرافیکی 37 1-2-3- دوربین kratky 38 3-3- تجهیزات سیستم SAXS نصب شده در شرکت مترولوژی (UMASS) 42 1-3-3- منبع تشعشع 42 2-3-3- جداسازی و برد q: 44 3-3-3- آشکارسازهای سطح: 49 4- 3-3- محفظه های مربوط به نمونه: 53 5-3-3- سیستم خلاء 55 6-3-3- سکوئی برای سیستم نصب: 55 7- 3-3- سیستم ایمنی: 55 8-3-3- الکترونیک و اینترفیس (واسطه) کامپیوتری: 56 9- 3-3- نرم افزار آنالیز داده ها 57 10-3-3- تجهیزات جانب یبرای عملکرد بهینه: 58 11- 3-3- گزینه ها: 59 فصل چهارم شرایط و دستورالعمل آزمایشگاهی 60 1-4- تکفام کنندگی و انتخاب طول موج 61 2-4- تنظیم و ساخت شکاف (slit) 61 3-4- خلاء لازم 62 4-4- روش آشکارسازی 62 5-4- آماده سازی نمونه ها 63 6-4- نمونه ها 63 7-4- نمونه های استاندارد 63 8-4- زمان آنالیز 64 فصل پنجم تصحیح داده ها 65 فصل ششم آنالیز داده های SAXS 67 فصل هفتم کاربرد SAXS 71 فصل هشتم مزایا و معایب روش SAXS 74 منابع: 76 مقدمه ذرات فلزی با اندازه نانو نقش مهمی را در مهندسی مواد ایفا می کنند چون که ویژگیهای ذرات با اندازه نانو با ویژگیهای بقیه مواد متفاوت است ]1[ توزیع اندازه ذرات نانو با استفاده از تکنیک میکروسکوپ TEM قابل اندازه گیری است TEM یک تکنیک فوق العاده مفید برای حصول اطلاعاتی نظیر توزیع اندازه ذره ، اندازه متوسط ذره و شکل ذرات نانو است ]1[ اندازه گیری TEM نیاز به عملیات پیچیده برای آماده سازی نمونه و مهارت بالای اپراتور دارد و زمان اندازه گیری طولانی است بعلاوه تکنیک TEM یک روش اندازه گیری در محل (In situ) نیست و تعداد ذرات اندازه گیری شده از فتوگراف ، در اغلب موارد از اندازه گیریهای تئوریکی کمتر است ]1[ بنابراین اکثر محققان در ارتباط با نانو تکنولوژی در جستجوی یک روش مناسب و یک روش In situ برای اندازه گیری توزیع ذرات نانو بودند این روشها بر اساس پراکندگی در زوایای کوچک استوار بود ]1[ Small-angle scattering =SAS SAX در واقع یک نام کلی است که برای مجموعه ای از تکنیکهای زیر بکار می رود]2[ Small-angle Light Scattering (SALS) Small-angle x-Ray scattering (SAXS) Small-angle Neutron scattering (SANS) در تمامی تکنیکهای فوق پراکندگی بصورت الاستیک بوده و اطلاعاتی در خصوص اندازه، شکل و توزیع ذرات بدست می آید تفاوت کلی تکنیکهای فوق در منبع تابش است که بر فاکتورهای زیر مؤثر است : الف ) تفاوت در نمونه هایی که می توانند آنالیز شوند ب ) تفاوت در بخش های قابل بررسی ج ) تفاوت در اطلاعات نهایی حاصل ]2[ بطور کلی در تکنیک SAXS، particles ها مسئول ایجاد پراکندگی هستند د

متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.