تحقیق درباره حذف محتویات CMOS ایجاد دایرکتوری NUL کُپی ویندوز 98

اختصاصی از یاری فایل تحقیق درباره حذف محتویات CMOS ایجاد دایرکتوری NUL کُپی ویندوز 98 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 81

تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق درباره نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:

تحقیق در مورد نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:

دانلود مقاله کامل درباره مدار S

اختصاصی از یاری فایل دانلود مقاله کامل درباره مدار S دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

مدار S/H، CMOS تمام تفاصلی ولتاژ پایین با توان مصرفی کم، سرعت خیلی بالا با خطای نگهدارنده کم (law hold pedestal)

در این مدار از روش dauble sample ( سمپل دوبل یا دوگانه) استفاده شده ( یعنی طی یک مرحله دوبار نمونه گیری انجام می گردد) که این طرح باعث افزایش سرعت سرعت و دقت نمونه گیری شده است.

به عنوان نمونه طراحان S/H خیلی سرعت بالای CMOS طرح حلقه باز را ارائه داده دادند. در این روش آنها قادرند بیشترین سرعت در کمترین هزینه و توان مصرفی قابل ملاحظه ای به دست آورند.

در ضمن برای اصلاح حالت خطی سرتاسری باید تاثیر خطای نگهدارنده مد مشترک و نویز را کاهش داد ( حتی با وجود اعوجاج) زیرا همانطور که می دانیم باید تزریق بار و نویز کم شود تا THD خوب شود.

ساختار تقویت کننده تفاصلی باعث کاهش پایه نگهداری مد مشترک و نویز می باشد یعنی این اجازه را به ما می دهد که از خازن های نگهدارنده کوچک برای عمل نگهداری در مدل تک سر استفاده می کنیم.

در این مقاله مدار S/H ای پیشینهاد گردیده، که از تکنولوژی CMOS 0/35

کتاب Charge-based CMOS Digital RF Transmitters

اختصاصی از یاری فایل کتاب Charge-based CMOS Digital RF Transmitters دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

Charge-based CMOS Digital RF Transmitters

Pedro Emiliano Paro Filho, Jan Craninckx, Piet Wambacq, Mark Ingels (auth.)

---

 

ترجمه عنوان:

ارسالگر RF CMOS شارژی دیجیتال 

موضوع کتاب:

Science (General)

سال:2016

ناشر:Springer International Publishing

ویرایش:1

فرمت : PDF

صفحه:XXIX, 152\180

زبان:انگلیسی

شابک 978-3-319-45787-1, 978-3-319-45786-4

 

درباره کتاب:

 

This book introduces a completely novel architecture that can relax the trade-off existing today between noise, power and area consumption in a very suitable solution for advanced wireless communication systems. Through the combination of charge-domain operation with incremental signaling, this architecture gives the best of both worlds, providing the reduced area and high portability of digital-intensive architectures with an improved out-of-band noise performance given by intrinsic noise filtering capabilities. Readers will be enabled to design higher performance radio front-ends that consume less power and area, especially with respect to the transmitter and power amplifier designs, considered by many the “battery killers” on most mobile devices.

 

 

فهرست کتاب:

 

1 Introduction  1
1.1 The Fear of Disconnection 1
1.2 Advanced Wireless Communication Systems  2
1.3 Flexible Multi-Standard Operation 4
1.3.1 TX Frontend Key Requirements 5
1.4 High Performance TX Architectures 8
1.5 Quadrature Direct-Conversion Transmitters 11
2 Incremental-Charge-Based Operation 17
2.1 Introduction 17
2.2 Incremental-Charge-Based Operation 23
2.2.1 Noise and Alias Performance 25
2.3 Charge-Based Transmitter 39
2.3.1 Power Efficiency 42
2.4 Conclusion 45
3 Capacitive Charge-Based Transmitter 47
3.1 Introduction 47
3.2 Architecture 48
3.2.1 Operating Principles 49
3.2.2 CQDAC Operation 51
3.2.3 Noise and Alias Performance 53
3.2.4 Harmonic Performance 59
3.3 Circuit Realization 64
3.3.1 CQDAC 64
3.3.2 Mixer and PPA 74
3.3.3 LO Generation 81
3.3.4 Top-Level Description 81

3.4 Measurement Results 84
3.4.1 Measurement Setup 84
3.4.2 CQDAC Measurement Results 85
3.4.3 CQDAC TX Measurement Results 88
3.5 Conclusion 95
4 Resistive Charge-Based Transmitter 97
4.1 Introduction 97
4.2 Architecture 98
4.2.1 Operating Principles 100
4.2.2 RQDAC Operation 102
4.2.3 Noise and Alias Performance 104
4.2.4 Harmonic Performance 111
4.3 Circuit Realization 116
4.3.1 RQDAC 116
4.3.2 Mixer Design 123
4.3.3 LO Generation 124
4.3.4 Top-Level Description 125
4.4 Measurement Results 128
4.4.1 Measurement Setup 128
4.4.2 RQDAC Measurement Results 129
4.4.3 RQDAC TX Measurement Results 130
4.5 Conclusion 139
5 Conclusion 143
5.1 Summary 143
Bibliography 147