مقاله درمورد کاربرد تبدیل لاپلاس در تحلیل مدار و انتگرال کانولوشن ‏

اختصاصی از یاری فایل مقاله درمورد کاربرد تبدیل لاپلاس در تحلیل مدار و انتگرال کانولوشن ‏ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : فناوری اطلاعات ،

فرمت فایل:   ( قابلیت ویرایش و آماده چاپ ) 

فروشگاه کتاب : مرجع فایل 

---

 قسمتی از محتوای متن ...

تعداد صفحات : 62 صفحه

عنوان: کاربرد تبدیل لاپلاس در تحلیل مدار و انتگرال کانولوشن .
فهرست مطالب.
عنوان صفحه کاربرد تبدیل لاپالس در تحلیل مدار 1 16-1- مقدمه 1 16-2- عناصر مدار در حوزة s 2 16-3- تحلیل مدار در حوزة s 9 16-4 چند مثال تشریحی 10 16-5 تابع ضربه در تحلیل مدار 28 16-6 خلاصه 46 17-5- تابع تبدیل و انتگرال کانولوشن 48 مراجع 64 کاربرد تبدیل لاپالس در تحلیل مدار 16-1- مقدمه تبدیل لاپالس دو ویژگی دارد که آن را به ابزاری جالب توجه در تحلیل مدارها تبدیل کرده است.
نخست به کمک آن می توان مجموعه ای از معادلات دیفرانسیلی خطی با ضرایب ثابت را به معادلات چند جمله ای خطی تبدیل کرد.
دوم، در این تبدیل مقادیر اولیة متغیرهای جریان و ولتاژ خود به خود وارد معادلات چند جمله ای می شوند.
بنابراین شرایط اولیه جزء لاینفک فرایند تبدیل اند.
اما در روشهای کلاسیک حل معادلات دیفرانسیل شرایط اولیه زمانی وارد می شوند که می خواهیم ضرایب مجهول را محاسبه کنیم.
هدف ما در این فصل ایجاد روشی منظم برای یافتن رفتار گذرای مدارها به کمک تبدیل لاپلاس است.
روش پنج مرحله ای بر شمرده شده در بخش 15-7 اساس این بحث است.
اولین گام در استفاده موثر از روش تبدیل لاپلاس از بین بردن ضرورت نوشتن معادلات انتگرالی –دیفرانسیلی توصیف کنندة مدار است.
برای این منظور باید مدار هم از مدار را در حوزةs به دست آوریم.
این امر به ما امکان می دهد که مداری بسازیم که مستقیماً در حوزة تحلیل شود بعد از فرمولبندی مدار در حوزة sمی توان از روشهای تحلیلی بدست آمده (نظیر روشهای ولتاژ گره، جریان خانه و ساده سازی مدار) استفاده کرد و معادلات جبری توصیف کنندة مدار را نوشت.
از حل این معادلات جبری، جریانها و ولتاژهای مجهول به صورت توابعی گویا به دست می آیند که تبدیل عکس آنها را به کمک تجزیه به کسرهای ساده به دست می اوریم.
سرانجام روابط حوزه زمانی را می آزماییم تا مطمئن شویم که جوابهای به دست امده با شرایط اولیة مفروض و مقادیر نهایی معلوم سازگارند.
در بخش 16-2- هم از عناصر را در حوزة s به دست می آوریم.
در شروع تحلیل مدارهای حوزة s باید دانست که بعد ولتاژ تبدیل شده ولت ثانیه و بعد جریان تبدیل شده آمپر

  متن بالا فقط تکه هایی از محتوی متن مقاله میباشد که به صورت نمونه در این صفحه درج شدهاست.شما بعد از پرداخت آنلاین ،فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود مقاله :  توجه فرمایید.

• در این مطلب،محتوی متن اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در ورد وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید.
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی مقاله یا تحقیق مورد نظر خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد.
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل متن میباشد ودر فایل اصلی این ورد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد.
• در صورتی که محتوی متن ورد داری جدول و یا عکس باشند در متون ورد قرار نخواهند گرفت.
• هدف اصلی فروشگاه ، کمک به سیستم آموزشی میباشد.

---

دانلود فایل   پرداخت آنلاین 

تحقیق درمورد تشریح مدار قفل رمزی دیجیتال

اختصاصی از یاری فایل تحقیق درمورد تشریح مدار قفل رمزی دیجیتال دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 19

تشریح مدار قفل رمزی دیجیتال

با قابلیت عدد پذیری تا 16 رقم

این مدار از چند قسمت اصلی تشکیل شده است…

مدارات حافظه یا (RAM).

مدار مقایسه کننده.

مدار نمایشگر.

مدار وارد کننده اعداد.

مدارات کنترل گر پالس.

بخش اول :

مدارات حافظه یا(RAM) .

این مدار ازسه بخش به شرح زیر تشکیل شده.

(64-bit RAM (16.4)) این RAM. IC7489 می باشد که به منظور ذخیره سازی کدهای اصلی مدار درانجا نصب شده است.این RAM قابل خواندن ونوشتن است .

جدول زیر مربوط به این RAM می باشد.

خروجی های داده

عملکرد

SA SB

مکمل داده ورودی

مکمل کلمه منتخب

تمام (1)

نوشتن

خواندن

ناتوان

L L

L H

H Z

(flip.Flops.4) این مداریک IC74175 است که به دلیل ثبت عددی که counter نشان می دهد در اینجا نصب شده است .

این بدین خاطر است که وقتی عدد با رقم های متفاوت وارد سیستم شود سیستم بتواند تعداد ارقام را تشخیص دهد .

جدول زیر مربوط به این flip.flops می باشد.

خروجی

Q Q

ورودی

CP Data MR

L H

H L

No change

L H

L H

H H

H *

L * *

(counter) که در این مدار IC معروف 74293 می باشد که به منظور تقییر آدرس در RAM برای ذخیره سازی اعداد استفاده شده است البته ورودی IC74175 را نیز تغذیه می کند که در بالا این علت توضیح داده شده است.

جدول زیر مربوط به این ciunter می باشد.

خروجی

Reset inputs

Q1-Q2-Q3

Q0

MR1 MR2

L L L L

L L L

L

H H

L H

H L

L L

مدار کلی برای بخش اول:

بخش دوم:4-bit MAGNITUDE COMPARATOR

مدارات مقایسه کننده در اینجا دوعدد IC7485 است که یکی از این IC ها اعداد داخل RAM را با اعدادی که بعد ازکد گذاری RAM وارد سیستم می شود مقایسه کرده و دیگری عدد داخل flip.flops را با عدد جدیدی که counter نشان می دهد مقایسه می کند.

به عبارتی در مقایسه کننده اولی درست بودن عدد تست می شود ودر صورت درست بودن پالسی برای مدارات کنترل فرستاده می شود.

تحقیق در مورد مدار مخابراتی

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد مدار مخابراتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحات: 28

مقدمه سیگنال بزرگ: هر گاه دامنه (ولتاژ) بیس امیتر از 5 یا 6 ولت بیشتر باشد در حوزه سیگنال بزرگ هستیم.

Q3,Q2,Q1 مشابه هستند.

- حال به بررسی مداری می پردازیم که صدق بر گفتار می باشد.

Q2,Q3 آینه ای و برای بایاس به کار می روند.

فرکانس ورودی W0 : (نزدیک فرکانس میانی است) W0 بقدری بالا است که CE اتصال کوتاه شود.

 Vi(t) = V1CoS

الف)             Vi(t) = 0         V1=0

علیرغم اینکه Vi روشن یا خاموش باشد ←   VBE2 = VBE3 = VDCQ

علت زمین شدن نقطه A توسط خازن Ce است.

در زمانی که Vi=0 داریم

 حالت دوم

در این حالت

VDC بایاس Q1 وقتی Vi روشن است.

VDCQ بایاس Q1 وقتی Vi خاموش باشد.

Ij(x) تابع بسل فوریه اول از مرتبه j ام

از طرفی با توجه به این موضوع که جریان DC از نقطه A نمی تواند وارد خازن Ce شود تمام آن را وارد تراتریستور Q2 می شود پس می توان گفت:

در واقع در تراتریستور Q3,Q2 به عنوان منبع جریان هستند.

و با توجه به رابطه قبل می توان VDC را محاسبه کرد.

نتیجه: علارغم اینکه سیگنال ورودی فاقد DC است ولی می تواند با یاس Q1 را تغییر دهد.

مثال: اگر Vi(t)=260cos l06t میزان جابجایی بایاس با چنین سیگنال محاسبه کنند در مثال قبل :

توجه جابجایی 210 mv در بایاس نسبتاً بالا است.        

(ممکن است تراتریستور در پریود منفی ورودی به آستانه قطع هم برسد).

توجه شد و درست است که ولتاژ ورودی ولتاژی کاملاً ac است اما جریانی که ایجاد می کند دارای جریان DC است که این عامل روی بایاس تاثیر می گذارد.

تحقیق درباره شمارنده

اختصاصی از یاری فایل تحقیق درباره شمارنده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل :word (قابل ویرایش) تعداد صفحات:28

نقشه مربوط به گیرنده نور لیزر:

به شکل فتو دیود در نقشه مربوط به گیرنده توجه کنید.همانطور که می بینید فلش های کشیده شده به سمت فتو دیود است.اگر به LED ها توجه کنید.می بینید که این فلش ها به سمت بیرون است.در واقع LED ها ساطع کننده نور هستند.و فتو دیودها دریافت کننده نور که این خصوصیت نیز در نقشه به این شکل مشخص می شود.

اگر به شکل ترانزیستور Q2 که NPN است.توجه کنید.مشاهده می کنید که همواره بیس آن با یک مقاومت 6.8 کیلو اهم و یک عدد پتانسیومتر 50 کیلو اهم به مثبت ولتاژ متصل است.که شدت حساسیت فتودیود به نور لیزر را نیز می توانید با این پتانسیومتر تنظیم کنید.با وجود اتصال بیس ترانزیستور Q2 به مثبت ولتاژ این ترانزیستور همواره روشن است.و مقدار زمین را از امیتر به کلکتو انتقال می دهد.در این حالت Q3 نیز خاموش است.ولی Q4 به خاطر اتصال بیسش با یک مقاومت 6.8 کیلو نیز همواره روشن است.و زمین را از امیتر بر روی کلکتورش می اندازد.و یکی از LED ها در صورت عدم وجود نور لیزر روشن می ماند.

دانلود مقاله کامل درباره مدار S

اختصاصی از یاری فایل دانلود مقاله کامل درباره مدار S دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

مدار S/H، CMOS تمام تفاصلی ولتاژ پایین با توان مصرفی کم، سرعت خیلی بالا با خطای نگهدارنده کم (law hold pedestal)

در این مدار از روش dauble sample ( سمپل دوبل یا دوگانه) استفاده شده ( یعنی طی یک مرحله دوبار نمونه گیری انجام می گردد) که این طرح باعث افزایش سرعت سرعت و دقت نمونه گیری شده است.

به عنوان نمونه طراحان S/H خیلی سرعت بالای CMOS طرح حلقه باز را ارائه داده دادند. در این روش آنها قادرند بیشترین سرعت در کمترین هزینه و توان مصرفی قابل ملاحظه ای به دست آورند.

در ضمن برای اصلاح حالت خطی سرتاسری باید تاثیر خطای نگهدارنده مد مشترک و نویز را کاهش داد ( حتی با وجود اعوجاج) زیرا همانطور که می دانیم باید تزریق بار و نویز کم شود تا THD خوب شود.

ساختار تقویت کننده تفاصلی باعث کاهش پایه نگهداری مد مشترک و نویز می باشد یعنی این اجازه را به ما می دهد که از خازن های نگهدارنده کوچک برای عمل نگهداری در مدل تک سر استفاده می کنیم.

در این مقاله مدار S/H ای پیشینهاد گردیده، که از تکنولوژی CMOS 0/35