یاری فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

یاری فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

مبانی نظری تکنولوژی آموزشی

اختصاصی از یاری فایل مبانی نظری تکنولوژی آموزشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مبانی نظری تکنولوژی آموزشی


 مبانی نظری تکنولوژی آموزشی

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 206

 

کلیات

تعریف تکنولوژی آموزشی

تکنولوژی آموزش در طول سالهایی که کارشناسان آن را به کار برده‌اند، دستخوش تغییراتی شده است ک علاوه بر تغییر در جنبه‌های ظاهری، در محتوا و معنای آن نیز تغییرات رخ داده است. برای درک بهتر تعریف و معنای اصطلاح تکنولوژی آموزشی، لازم است به معنای هر یک از واژه‌های تشکیل دهنده آن توجه کنیم.

الف) تعریف تکنولوژی

شناخت دقیق تعریف، موضوع و قلمرو رشته تکنولوژی آموزشی تا حدود زیادی به ریشه‌یابی کلمه تکنولوژی بستگی دارد. این واژه از کلمه تکنولوژیا در یونانی به معنای انجام دادن سیستماتیک یک هنر یا حرفه گرفته شده است. بخش اول این کلمه (techno) تلفیقی از معنای یک هنر و یک فن مشتمل بر دانش مربوط به اصول و توانایی دستیابی به نتایج مورد نظر است. به عبارت دیگر فن به معنای مهارتهای عملی مانند دانستن و انجام دادن است. ریشه کلمه (logos) نیز به معنای استدلال، تبیین، اصل و ارائه دلیل است. بنابراین تکنولوژی به معنای بکارگیری مستدل با منطقی دانش خواهد بود.

بنابراین تکنولوژی به معنی هر گونه مهارت عملی است که در آن از نتایج و یافته‌های علمی استفاده می‌شود. به عبارت دیگر، تکنولوژی به معنی دانش کاربردی در مقابل علم محض است. این کلمه در اصل از دو کلمه «تکنیک و لوژی» تشکیل شده است. «تکنیک» به معنای انجام دادن ماهرانه هر کار و «لوژی» - معادل پسوند «شناسی» و به معنای «علم و دانش» است. بنابراین، تکنولوژی را می‌توان روش شناسی یا دانش و علم به روشهای ماهرانه انجام دادن امور دانست، این معنای دوم چیزی است که واژه تکنولوژی بیشتر برای بیان آن به کار رفته است.

دانش تکنولوژی دارای مفاهیم، قواعد و ساختار و تغییرات خاص خود است که برخاسته از، و نهفته در فعالیت انسانی است. در مقابل دانش محض یا دانش علمی که به بیان جهان طبیعی و پدیده‌های موجود در آن می‌پردازد، دانش تکنولوژیک درباره روشهای انجام دادن امور است، که از طریق فعالیت تعریف می‌شود و با فعالیت به وجود می‌آید و به کار گرفته می‌شود.

ب) تعریف آموزش از دیدگاههای مختلف

کلمه «آموزش» و اضافه شدن آن به تکنولوژی به توضیح بیشتری نیاز دارد، آموزش چیست؟ آیا توضیحات شفاهی فرد به فرد یا افراد یا گروهش از شاگردان را می‌توان آموزش نامید؟ آیا اینکه معلم کتاب یا جزوه‌ای در اختیار شاگرد قرار دهد معنای آموزش می‌دهد؟

آموزش از دیدگاههای مختلف تعاریف گوناگونی دارد. در اینجا به بررسی نظریه‌های چند تن از صاحبنظران تعلیم و تربیت پرداخته و پس از جمع بندی این نظریه‌ها تعریف جامعی از آموزش ارائه خواهیم داد.

دوبوا، آموزش را «مرتب و منظم کردن دقیق محیط فراگیر به منظور دستیابی به نتایج مورد نظر در وضعیتهای مشخص» تعریف کرده است. این تعریف گرچه بسیار کلی است، به نکات متعددی مانند دانشهای قبلی او یا انگیزه و نیاز او به یادگیری، منظور نشده است.

برونر معتقد است در آموزش باید به چهار سوال مهم پاسخ داده شود:

1- پیش فرضها و پیش دانسته‌های فراگیر کدامند؟

2- برای یادگیری بیشتر، ساختار و ترکیب موضوع یادگیری باید به چه صورت باشد؟

3- ترتیب و توالی مواد یادگیری برای تسهیل در یادگیری چگونه است؟

4- کاربرد تشویق، تنبیه و بازخورد برای دستیابی به اهداف آموزش به چه نحو است؟

برونر در واقع جزء اولین کسانی است که با طرح سوالاتی مانند سوالات مذکور، دست‌اندرکاران امور آموزشی را در مسائلی مانند پیش دانسته‌های فراگیر، ساختار موضوع تدریس، ترتیب و توالی موضوع و زمان و شرایط، به تفکر واداشت و بکارگیری عواملی مانند تشویق، تنبیه، ارائه بازخورد و طرح سوال را مطرح کرد.

طرح این گونه سوالات بعد از برونر نیز ادامه یافت و تکامل کمیت و کیفیت سوالات، باعث دستیابی به تعریفی جامع و همه جانبه از آموزش شد. برای مثال، گلیسر سوالات زیر را در زمینه آموزش مطرح کرد:

1- تجزیه و تحلیل موضوع تدریس را معلم یا طراح آموزشی چگونه باید انجام دهد؟ به عبارت دیگر، تعیین تواناییهای لازم برای یادگیری یک موضوع پیچید درسی چگونه صورت می‌گیرد؟

2- در تجزیه و تحلیل تواناییهای فراگیر به چه عواملی باید توجه شود، یعنی به کدامیک از تواناییهای فراگیر باید بیشتر دقت شود؟

3- به منظور افزایش میزان یادگیری باید چه شرایط محیطی هنگام ارائه آموزش فراهم باشد؟

4- بهترین راه برای اندازه‌گیری یادگیری فراگیر کدام است؟

بدین ترتیب سوالات فرق در سه مورد، مشابه پیشنهادات برونر است، ولی اندازه‌گیری میزان یادگیری به آن اضافه شده است که در فهرست سوالات برونر وجود ندارد. در همین زمینه آندرسون عوامل موثر در آموزش را به دو دسته تقسیم کرده است:

الف) عوامل آموزشی. عوامل آموزشی شامل نحوه ارائه و نمایش محتوای آموزشی و مدت زمان اختصاص یافته به یادگیری هر موضوع از سوی معلم است.

ب) عامل تفاوتهای فردی. عامل تفاوتهای فردی شامل توانایی عمومی فراگیر برای یادگیری است که میزان درک و فهم شاگرد را از دستورالعملها و توضیحات معلم تعیین می‌کند و همچنین زمان یادگیری که برای فراگیران مختلف متفاوت است. عامل زمانی را مشخص می‌کند که هر فراگیر عملاً آن را صرف یادگیری می‌کند.

آندرسون همچنین کیفیت آموزش را منوط به رعایت نکاتی می‌داند که عبارت است از:

1- مطلع کردن فراگیر از آنچه در حال آموختن آن است؛

2- ایجاد ارتباط حسی بین فراگیر و مواد آموزشی؛

3- ارائه آموزش به نحوی که هر مرحله آموزش، زمینه ساز مراحل بعدی باشد؛

4- هماهنگ کردن آموزش با خصوصیات و احتیاجات ویژه فراگیران.

لازم است ذکر شود که هر یک از فهرستها، زاویه‌های جدیدی از آموزش را مطرح می‌کند. برای مثال، در فهرست مذکور، مساله زمان اختصاص یافته به یادگیری هر موضوع از سوی معلم، زمان لازم برای یادگیری شاگرد و زمان عملی صرف شده برای یادگیری هر فراگیر مشخص شده است.


دانلود با لینک مستقیم


مبانی نظری تکنولوژی آموزشی

تحقیق در مورد تکنولوژی (ساخت) 8 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد تکنولوژی (ساخت) 8 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 8 صفحه


 قسمتی از متن .doc : 

 

«تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

معرفی:

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک 2 ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.

تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:

سلول EEPROM :

این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه 5 یا 3 ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.

ساختار سلولی:

برشهای مقطعی سلولی با نماهای متفاوت در تصاویر 1A و 1B نشان داده شده اند. از دیدگاه سطح مقطع یک مسیر بیت و یک سطح مقطع SEM در تصاویر 2A و 2B نشان داده شده اند. از ترکیب سیلیکون 2 ظرفیتی برای ارتباط گیتها در امتداد یک مسیر word استفاده شده است. فلز بکار رفته در درین (drain) برای هر سلول حافظه در امتداد ردیف بیت قرار دارد.

یک سورس مشترک در هر صفحه بکار رفته است که در آن هر زوج بیت بصورت مشترک از یک سورس استفاده می کنند. با ترکیب ردیفهای زوج و فرد در یک صفحه پاک شده، عملیات صورت می گیرد. برنامه ریزی ممکن است حتی بصورت بایت بایت انجام شود و یا اینکه تمام بایتهای یک صفحه بصورت لحظه ای و به یکباره برنامه ریزی شوند. ناحیه درین از نفوذ (عمق) به میزان n+S/D برخوردار است، که لبه های آن توسط گیت کنترلی 2، تحت کنترل است. ناحیه سورس ار عمق n+S/D برخوردار است که دارای هم پوشانی با قسمت شناور است. یک سلول در دروازه شناور بمنظور کنترل آستانه (هدایت) سلول و ولتاژ مربوطه استفاده شده است. گیت انتخابی بوسیله یک کانال با پهنای 40mm از کانال (اصلی) جدا شده است. گیت شناور از کانال و نفوذ سورس به آن بوسیله کشت گرمایی (حراریی) به میزان 15nm و بصورت اکسید در گیت جدا شده است. گیت شناور از گیت کنترلی بوسیله اکسید 40nm و از لبه ها بصورت عمودی و در حد فاصل بین گیتها با اکسید 200nm جدا شده است. انژکتور ایجاد کننده تونل در گیت شناور بصورت اکسیداسیون چندگانه سیلیکونی عمل می کند و فرم (شکل) انجام اکسیداسیون بصورت «bird beak» می باشد که بر روی یک سیلیکون کریستالی صورت می گیرد. یک ترکیب سیلیکون دو ظرفیتی را می توان در گیت کنترلی بمنظور کاهش مقاومت ردیف word استفاده کرد.

2-3 طرح شماتیک آرایه سلولی:

طرح سلولی نشان داده شده در شکل 3A نحوه سازماندهی و ترتیب قرارگیری منطقی آرایه حافظه را نشان می دهد. مدار معادل این ترکیب بهمراه نشان دادن ظرفیت خازنی بین مسیرها در شکل 4 نشان داده شده است. برای سلول حافظه گیت مجزا کانال بین درین و سورس بوسیله ترکیبی از ترانزیستور گیت مورد نظر و ترانزیستور گیت حافظه کنترل می شود. ترانزیستور حافظه دارای آستانه منفی کم یا زیاد می تواند باشد که این امر به میزان بار الکتریکی ذخیره شده در یک گیت شناور بستگی دارد. در طول عملیات خواندن اطلاعات، این ولتاژ مرجع در گیت کنترلی و گیت انتخابی و via در مسیر word بکار گرفته می شود. ولتاژ مرجع با انتخاب ناحیه کانال، اعمال می شود. اگر گیت شناور قبلاً برنامه ریزی شده باشد، بخشی از ترانزیستور حافظه بصورت عایق باقی می ماند و سیگنال را انتقال نخواهد داد. اگر گیت شناور پاک شده باشد، این سلول حافظه، هادی خواهد بود. حالت هدایت خروجی از نظر منطقی با «1» و حالت عایقی (غیرهادی) با «0» نشان داده می شود. در شکل 3A بخشی از یک آرایه حافظه ترتیبی را که با 8 سلول حافظه چیده شده است و سازمان دهی شده و در آن سلولهای حافظه در 2 ستون، با 2 مسیر سورس و 8 ردیف word قرار گرفته اند، نشان داده شده است. تصویر 3B یک سلول حافظه معادل را نشان می دهد که چگونگی ایجاد وضعیت منطقی برای سلول گیت مجزا بمنظور ترانزیستور انتخابی مورد نظر و ترانزیستور حافظه را نشان می دهد. ولتاژ اعمال شده به ترمینال در هر مرحله در جدول 1 ارائه شده است. در طی عملیات پاک کردن کانال براساس ولتاژ مسیر word جهت گیری کرده و از حالت اولیه منحرف می شود. در طی برنامه ریزی کانال (گاهی) دچار تخلیه می شود. نسبتهای ترویجی (Coupling) در طی دورة پاک کردن و برنامه ریزی متفاوت است. بنابراین در طول


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد تکنولوژی (ساخت) 8 ص

پاورپوینت مدل های فناوری و تکنولوژی

اختصاصی از یاری فایل پاورپوینت مدل های فناوری و تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

نوع فایل:  ppt _ pptx ( پاورپوینت )

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از اسلاید : 

 

تعداد اسلاید : 49 صفحه

مدل های فناوری و تکنولوژی الف- مدل الماس پورتر نگرش پورتر، مزیت رقابتی یک کشور در صنعتی خاص عبارت است از: "توانایی و قابلیت آن کشور برای ترغیب شرکت‌ها به استفاده از کشورشان به عنوان سکویی برای انجام فعالیت‌های تجاری”. در نهایت پورتر به "چهار مشخصه کلی یک کشور" اشاره می‌کند که برحسب ویژگی‌هایشان، می‌توانند مزیت رقابتی ایجاد کنند یا مانع آن شوند.
این چهار عامل عبارتند از: 1- شرایط عوامل تولید(درونی) 2- شرایط تقاضا 3- صنایع مرتبط و پشتیبان 4- استراتژی، ساختار و رقابت‌پذیری شرکت مدل الماس پورتر (پورتر، 1999) 1.
عوامل تولید: وضعیت یک کشور براساس عوامل تولید نظیر نیروی کار یا زیرساختارهای یک کشور (منطقه) که برای رقابت در یک صنعت معین ضروری است.
پورتر فاکتورهای درونی را در دو دسته تقسیم بندی می‌کند: - فاکتورهای عمومی شامل مواردی مانند مواد اولیه، انرژی، نیروی انسانی بدون مهارت خاص - فاکتورهای تخصصی شامل مواردی مانند نیروی انسانی ماهر و متخصص، دانش فنی پیشرفته و فناوری پیشرفته.
فاکتورهای تخصصی در مقایسه با فاکتورهای عمومی مزیت رقابتی پایدارتری را ایجاد می کند 2.
وضعیت تقاضا: ویژگی‌هایش با طبیعت و میزان نیاز خریداران در بازار داخلی یا کالاهای صنعتی یا خدمات تعیین می‌شود.اندازه تقاضای بخش‌های بازار می‌تواند منجر به بهره وری امکانات شود بهره وری می‌تواند منجر به تسلط صنعت در کشوره شود تقاضاهای تخصصی و ویژه می‌تواند فرصت‌هایی را فرای مرزها بسازد 3.
صنعت‌های مرتبط و حامی: سرویس‌های پشتیبان، امکانات وتهیه کنندگان و..
که شامل :پشتیبانی در طراحی پشتیبانی توزیع صنعت‌های مرتبط به عنوان تهیه کنندگان یا خریداران 4.
استراتژی شرکت، ساختار و رقابت: الگوی استراتژی،ساختار و رقابت در شرکت کارآموزی فنی عمومی متودولوژی تولید و روند پیشرفت سیستم همکاری و رقابت مدل ابتدایی پورتر تنها چهار عامل الماس را دربرمی‌گرفت.
در انتشارات بعدی، پورتر عوامل بیشتری را به مدل الماس خود اضافه کرد،این دو عامل که به عنوان عوامل 5و6 :دو نیروی خارجی الماس پورتر شناخته میشوند عبارتند از: 5.
اقدامات دولت: دولت میتواند بر همه عوامل پورتر از طریق دامنه ای از فعالیتها اثر بگذارد، مانند: کاستن مشکلات شرکتها، به طور مستقیم(پول) و یا غیر مستقیم(زیرساخت)تهیه کردن قوانین مالیاتی قابل اجرا برای شرکت، تجارت و یا صاحبان دارایی سیاستهای آموزشی که برروی سطح مهارت کارگران تاثیر می گذارد بنا نهادن استانداردهای تکنیکی و استانداردهای محصول، شامل قوانین محیط زیستی خرید دولتی کالا و خدمات قوانین اتحادیه های بزرگ صنایع  رویدادهای شانسی (اتفاقات پیش بینی نشده) ب- مدل اطلس فناوری اطلس تکنولوژی که به وسیله مرکز انتقال تکنولوژی آسیایی سازمان ملل متحد منتشر شده است مدعی ارائه مدل مناسبی برای اندازه گیری سطح تکنولوژی است.در این مجموعه با این دیدگاه که تکنولوژی عامل تبدیل کننده منابع طبیعی ،زمین ، سرمایه و نیروی انسانی به کالای ساخته شده می باشد تکنولوژی به چهار جزءجداگانه تقسیم شده است.•    ماشین آلات و ابزار تولید; وسایلی که تکنولوژی در آن جای گرفته است و شامل تمام امکانات فیزیکی برای تبدیل می باشد.
•    مهارتها و تجربیات

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  ................... توجه فرمایید !

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه جهت کمک به سیستم آموزشی برای دانشجویان و دانش آموزان میباشد .

 



 « پرداخت آنلاین »


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت مدل های فناوری و تکنولوژی

تحقیق در مورد تکنولوژی

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 8 صفحه


 قسمتی از متن .doc : 

 

«تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

معرفی:

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک 2 ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.

تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:

سلول EEPROM :

این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه 5 یا 3 ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.

ساختار سلولی:

برشهای مقطعی سلولی با نماهای متفاوت در تصاویر 1A و 1B نشان داده شده اند. از دیدگاه سطح مقطع یک مسیر بیت و یک سطح مقطع SEM در تصاویر 2A و 2B نشان داده شده اند. از ترکیب سیلیکون 2 ظرفیتی برای ارتباط گیتها در امتداد یک مسیر word استفاده شده است. فلز بکار رفته در درین (drain) برای هر سلول حافظه در امتداد ردیف بیت قرار دارد.

یک سورس مشترک در هر صفحه بکار رفته است که در آن هر زوج بیت بصورت مشترک از یک سورس استفاده می کنند. با ترکیب ردیفهای زوج و فرد در یک صفحه پاک شده، عملیات صورت می گیرد. برنامه ریزی ممکن است حتی بصورت بایت بایت انجام شود و یا اینکه تمام بایتهای یک صفحه بصورت لحظه ای و به یکباره برنامه ریزی شوند. ناحیه درین از نفوذ (عمق) به میزان n+S/D برخوردار است، که لبه های آن توسط گیت کنترلی 2، تحت کنترل است. ناحیه سورس ار عمق n+S/D برخوردار است که دارای هم پوشانی با قسمت شناور است. یک سلول در دروازه شناور بمنظور کنترل آستانه (هدایت) سلول و ولتاژ مربوطه استفاده شده است. گیت انتخابی بوسیله یک کانال با پهنای 40mm از کانال (اصلی) جدا شده است. گیت شناور از کانال و نفوذ سورس به آن بوسیله کشت گرمایی (حراریی) به میزان 15nm و بصورت اکسید در گیت جدا شده است. گیت شناور از گیت کنترلی بوسیله اکسید 40nm و از لبه ها بصورت عمودی و در حد فاصل بین گیتها با اکسید 200nm جدا شده است. انژکتور ایجاد کننده تونل در گیت شناور بصورت اکسیداسیون چندگانه سیلیکونی عمل می کند و فرم (شکل) انجام اکسیداسیون بصورت «bird beak» می باشد که بر روی یک سیلیکون کریستالی صورت می گیرد. یک ترکیب سیلیکون دو ظرفیتی را می توان در گیت کنترلی بمنظور کاهش مقاومت ردیف word استفاده کرد.

2-3 طرح شماتیک آرایه سلولی:

طرح سلولی نشان داده شده در شکل 3A نحوه سازماندهی و ترتیب قرارگیری منطقی آرایه حافظه را نشان می دهد. مدار معادل این ترکیب بهمراه نشان دادن ظرفیت خازنی بین مسیرها در شکل 4 نشان داده شده است. برای سلول حافظه گیت مجزا کانال بین درین و سورس بوسیله ترکیبی از ترانزیستور گیت مورد نظر و ترانزیستور گیت حافظه کنترل می شود. ترانزیستور حافظه دارای آستانه منفی کم یا زیاد می تواند باشد که این امر به میزان بار الکتریکی ذخیره شده در یک گیت شناور بستگی دارد. در طول عملیات خواندن اطلاعات، این ولتاژ مرجع در گیت کنترلی و گیت انتخابی و via در مسیر word بکار گرفته می شود. ولتاژ مرجع با انتخاب ناحیه کانال، اعمال می شود. اگر گیت شناور قبلاً برنامه ریزی شده باشد، بخشی از ترانزیستور حافظه بصورت عایق باقی می ماند و سیگنال را انتقال نخواهد داد. اگر گیت شناور پاک شده باشد، این سلول حافظه، هادی خواهد بود. حالت هدایت خروجی از نظر منطقی با «1» و حالت عایقی (غیرهادی) با «0» نشان داده می شود. در شکل 3A بخشی از یک آرایه حافظه ترتیبی را که با 8 سلول حافظه چیده شده است و سازمان دهی شده و در آن سلولهای حافظه در 2 ستون، با 2 مسیر سورس و 8 ردیف word قرار گرفته اند، نشان داده شده است. تصویر 3B یک سلول حافظه معادل را نشان می دهد که چگونگی ایجاد وضعیت منطقی برای سلول گیت مجزا بمنظور ترانزیستور انتخابی مورد نظر و ترانزیستور حافظه را نشان می دهد. ولتاژ اعمال شده به ترمینال در هر مرحله در جدول 1 ارائه شده است. در طی عملیات پاک کردن کانال براساس ولتاژ مسیر word جهت گیری کرده و از حالت اولیه منحرف می شود. در طی برنامه ریزی کانال (گاهی) دچار تخلیه می شود. نسبتهای ترویجی (Coupling) در طی دورة پاک کردن و برنامه ریزی متفاوت است. بنابراین در طول


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد تکنولوژی

دانلود پاورپوینت مدل های فناوری و تکنولوژی

اختصاصی از یاری فایل دانلود پاورپوینت مدل های فناوری و تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

نوع فایل:  ppt _ pptx ( پاورپوینت )

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از اسلاید : 

 

تعداد اسلاید : 49 صفحه

مدل های فناوری و تکنولوژی الف- مدل الماس پورتر نگرش پورتر، مزیت رقابتی یک کشور در صنعتی خاص عبارت است از: "توانایی و قابلیت آن کشور برای ترغیب شرکت‌ها به استفاده از کشورشان به عنوان سکویی برای انجام فعالیت‌های تجاری”. در نهایت پورتر به "چهار مشخصه کلی یک کشور" اشاره می‌کند که برحسب ویژگی‌هایشان، می‌توانند مزیت رقابتی ایجاد کنند یا مانع آن شوند.
این چهار عامل عبارتند از: 1- شرایط عوامل تولید(درونی) 2- شرایط تقاضا 3- صنایع مرتبط و پشتیبان 4- استراتژی، ساختار و رقابت‌پذیری شرکت مدل الماس پورتر (پورتر، 1999) 1.
عوامل تولید: وضعیت یک کشور براساس عوامل تولید نظیر نیروی کار یا زیرساختارهای یک کشور (منطقه) که برای رقابت در یک صنعت معین ضروری است.
پورتر فاکتورهای درونی را در دو دسته تقسیم بندی می‌کند: - فاکتورهای عمومی شامل مواردی مانند مواد اولیه، انرژی، نیروی انسانی بدون مهارت خاص - فاکتورهای تخصصی شامل مواردی مانند نیروی انسانی ماهر و متخصص، دانش فنی پیشرفته و فناوری پیشرفته.
فاکتورهای تخصصی در مقایسه با فاکتورهای عمومی مزیت رقابتی پایدارتری را ایجاد می کند 2.
وضعیت تقاضا: ویژگی‌هایش با طبیعت و میزان نیاز خریداران در بازار داخلی یا کالاهای صنعتی یا خدمات تعیین می‌شود.اندازه تقاضای بخش‌های بازار می‌تواند منجر به بهره وری امکانات شود بهره وری می‌تواند منجر به تسلط صنعت در کشوره شود تقاضاهای تخصصی و ویژه می‌تواند فرصت‌هایی را فرای مرزها بسازد 3.
صنعت‌های مرتبط و حامی: سرویس‌های پشتیبان، امکانات وتهیه کنندگان و..
که شامل :پشتیبانی در طراحی پشتیبانی توزیع صنعت‌های مرتبط به عنوان تهیه کنندگان یا خریداران 4.
استراتژی شرکت، ساختار و رقابت: الگوی استراتژی،ساختار و رقابت در شرکت کارآموزی فنی عمومی متودولوژی تولید و روند پیشرفت سیستم همکاری و رقابت مدل ابتدایی پورتر تنها چهار عامل الماس را دربرمی‌گرفت.
در انتشارات بعدی، پورتر عوامل بیشتری را به مدل الماس خود اضافه کرد،این دو عامل که به عنوان عوامل 5و6 :دو نیروی خارجی الماس پورتر شناخته میشوند عبارتند از: 5.
اقدامات دولت: دولت میتواند بر همه عوامل پورتر از طریق دامنه ای از فعالیتها اثر بگذارد، مانند: کاستن مشکلات شرکتها، به طور مستقیم(پول) و یا غیر مستقیم(زیرساخت)تهیه کردن قوانین مالیاتی قابل اجرا برای شرکت، تجارت و یا صاحبان دارایی سیاستهای آموزشی که برروی سطح مهارت کارگران تاثیر می گذارد بنا نهادن استانداردهای تکنیکی و استانداردهای محصول، شامل قوانین محیط زیستی خرید دولتی کالا و خدمات قوانین اتحادیه های بزرگ صنایع  رویدادهای شانسی (اتفاقات پیش بینی نشده) ب- مدل اطلس فناوری اطلس تکنولوژی که به وسیله مرکز انتقال تکنولوژی آسیایی سازمان ملل متحد منتشر شده است مدعی ارائه مدل مناسبی برای اندازه گیری سطح تکنولوژی است.در این مجموعه با این دیدگاه که تکنولوژی عامل تبدیل کننده منابع طبیعی ،زمین ، سرمایه و نیروی انسانی به کالای ساخته شده می باشد تکنولوژی به چهار جزءجداگانه تقسیم شده است.•    ماشین آلات و ابزار تولید; وسایلی که تکنولوژی در آن جای گرفته است و شامل تمام امکانات فیزیکی برای تبدیل می باشد.
•    مهارتها و تجربیات

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  ................... توجه فرمایید !

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  • هدف فروشگاه جهت کمک به سیستم آموزشی برای دانشجویان و دانش آموزان میباشد .

 



 « پرداخت آنلاین »


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پاورپوینت مدل های فناوری و تکنولوژی