تحقیق در مورد باب های مایعات که باعث بوجود آوردن یک میدان صوتی خارجی می شود 8 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد باب های مایعات که باعث بوجود آوردن یک میدان صوتی خارجی می شود 8 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 8

حباب های مایعات که باعث بوجود آوردن یک میدان صوتی خارجی می شوند نه تنها بطور فوی و غیر خطی نوسان می کنند بلکه ممکن است نور راین منتقل و ارسال کنند. این پدیده Sonolumines gence (SL ) نامیده شد و بوسیله « Marinesco » و « Trillat » در سال 1943 کشف شد.

پس از آن این پدیده هم به طور تئوری و هم به طور عملی توسط مولفان زیادی به خوبی مرود بررسی قرار گرفت علاقه به پدیده SL باعث شد که این پدیده توسط « Gaitan » به دقت مورد آزمایش قرار گیرد بله Sl را از یک حباب در آب به وسیله یک میدان قوی صوتی نوسانی بررسی کرد. این پدیده «Signal bubble sonoluminesence » ( SBSL ) نامیده شد. که در زیر به بررسی آن می پردازیم .

یکی از مهمترین نتایجی که از آزمایشات بر روی پدیده Sbsl حاصل شد این بود که حباب ها می توانند چندین روز به طور پایدار نوسان کنند بدون اینکه تجزیه شوند یا اندازة آنها تغییر کند. بررسی دقیق مکانیزم فیزیکی نشان داد که عوامل زادی وجود دارند که موجب رخ دادن چنین پدیده أی می شوند . این عوامل عبارتند از :

ریزش و تقطیر ، کشش ، گازهای نامحلول ، هدایت گرمای تشعشعات صوتی ، درجات ، بخارها و گازهای کوچک در حد میکرون . ( که ممکن است توسط موجهای سطحی در حباب ایجاد شود ) نوسانات غیر خطی حباب و جدا بودن و یا آمیخته شدن حباب ها با یکدیگر . بررسی عملی و تئوری نتایج نشان داد که عوامل اصلی و مهم برای انتقال یک حباب پایدار عبارتند از :

ریزش و تقطیر ، کشش سطحی و شکل نوسانات.

مکانیزم چگونگی نفوذ گاز منجر می شود که اندازة حباب پایدار نباشد و از بین برود . به این دلیل است که آنالیز پایداری و استقامت باید چند برابر باشد. پایداری شکل نوسانات بررسی شده در جایی نشان داد که گرایش حباب های بزرگ به تجزیه شدن ، ناشی از بی ثباتی سطح نوسانات . در این مبحث تأثیر تقطیر و ریزش و کشش سطحی را در توانایی ایجاد میدان صوتی توسط حباب های کوچک بررسی می کنیم .

بدون میدان صوتی خارجی ، حباب ها در هراندازه أی ناتوان اند زیر فشار درون حباب بیش ات از فشار در مایع و بنابراین حباب ها به آرامی حل می شوند که این عمل ناشی از یک تار پیوسته جرمی از حباب به داخل مایع است . بر بیش از یک میدان صوتی حباب ها شروع به نوسان می کنند. در طول دورة انبساط نفوذ گاز از مایع به داخل حباب و در طول دورة انقباظی عکس این عمل اتفاق می افتد . که این یک شبکه جریان در گاز درون حباب ات را اسطقه أی از دیوار حباب بزرگتر خواهد شد در طول دورة انبساط و بنابراین مقدار زیادی گاز واردخواهد شد در مقایسه با زمانی که در مرحله انقباض خارج می شود. این پدیده « زیر کش و تقطیر » نام دارد و منجر به بزرگتر شدن حباب می شود. برای دانه های کوچک مشخص شده که رشد حباب به میزان دامنه میدان صوتی Pa ، شعاع تشدید R و شعاع تعادل R حباب بستگی دارد. این نسبت رشد به مقدار زیادی مرتبط ات با واکنش منحنی أی که وابستگی شعاع از حباب های بزرگ به روی شعاع تعادل را نشان می دهد . این تئوری توجیهی خوب برای رشد و حل شدن حباب های بزرگ و فشار کم دامنه ها است . هرچند توضیحی برای پاسخ به این سوال در مورد S L وجود ندارد : چرا حباب های گاز کوچک در یک مایع در حضور یک میدان صوتی قوی پدیدار می شوند ؟

برای نوسانات یک حباب تنها تت یک دامنه فشار متوسط یا زیاد ، یک نارید ( داستان ) عجیب و پیچیده وجود دارد. آمارگیری مشابه نشان داد که هر چند که برای حباب های خیلی کوچک در میدان های صوتی خیلی قوی حرکت ها منظم تر اند و یک نوع جدید از تشدید قوی باید آستانه کاهش از دامنه نوسان اتفاق می افتد . دلیل فیزیک برای این پدیده در واقع این ات که برای حباب های خیلی کوچک فشار کشش سطحی خیلی زیاد ات. و حباب های فشاری همچون ذرات جامد قابل انعطاف حتی برای فشارهای متحرک بزرگ دارند که در FiG 1 نشان داده شده است .

1(b) : شعاع معمولی جباب را نشان می دهد .

1(a) : فشار متحرک را از میدان صوتی خارجی نشان می دهد.

Pa (t) = - Pa sin (wt)

مقعی که ما اندازه حباب ها را کاهش دادیم و آن شروع به نوسانات متفاوتی کرد در طول دورة انبساط تأثیر کشش سطحی به سرعت کاهش پیدا کرد و بنابراین دامنة انبساط به طور هنگفتی زیاد شده که منجر به از هم پاشیدگی قوه ی ای شد. نقطه جدایی ممکن است نقطه غیر الیافتی پاره فروپاشی نامیده شود. انواع نوسانات موود در پشت این فروپاشی در شکل نشان داده شده است. نتایجی که از FIG (1)بلات آمده و تمام فرمولهای محاسبه شده توسط مدل «Keller – Mikeis » عبارتند از :

برای حباب هوا در آب 20 درجه سانتیگراد با Po=1bar,6=0.0725nm. k=1.4 و Ce=1500 mis و بامد(فرکانس) چرخشی w=2 20khz . نتایجی با کیفیت مشابه برای مدل «Gilmore» مبلات آمد.

موقعیکه شعاع تعادل حباب کوچکتر شد اثر فشار سطح برشی p6 کمتر می شود و یک غیر یکنواخت منحنی تشدید برای شعاع معمولی Rm/R0 اتفاق می افتد. این واکنش ها در Fig 2 (a) نشان داده شده اند.

برای مقدارهایی از فشار Pa می توان دید که ر فشار غیر یکنواختی شروع می شود. برای (Pa>1.2ba) .

حال ما به بررسی نفوذ و تقطیر در مناطقی که تشدید برای جباب های کوچک زیاد است می پردازیم. تئوری فرموله شده برای جرم منتقل شده که در میان سطح داخلی پوسته با یک حباب کروی که نوسانات چرخشی در Ref را تحمل می کند ، معادلات انتقال حرارت و نفوذ گاز حل شده در بیرون مایع بیرونی یک حباب کروی می توان به صورت زیر نشان داد :

معادلة 1ـ انتقال حرارت را توضیح می دهد . جایی که R (t) (شعاع حباب) به وسیلة بعضی از معادلات دینامیکی برای نوسانات جبابی کنترل می شود. (c) عبارت است از مفهوم جرم گاز که در مایع حل می شود و (D) قابلت نفوذ گاز در مایع است.

معادلة 2 ـ شرایط مرزی در سطح حباب را بیان می کند که به وسیلة قانون «Henry» به دست آمده است که مفهوم غلظت گاز در داخل مایع تحت فشار مقطعی گاز و بالای مایع بیان می کند .

حرف H بیانگر ثابت هنری است. Coo عبارت است از :

غلظت اولیه گاز در داخل مایع هنگامیکه فرض کنیم جباب ها می خواهند به وجود آیند.

سرآمدی سازمان چگونه بوجود می‌آید و مدل‌ها و الگوهای ارزیابی عملکرد جهت دستیابی به سرآمدی چیست

اختصاصی از یاری فایل سرآمدی سازمان چگونه بوجود می‌آید و مدل‌ها و الگوهای ارزیابی عملکرد جهت دستیابی به سرآمدی چیست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سرآمدی سازمان چگونه بوجود می‌آید و مدل‌ها و الگوهای ارزیابی عملکرد

                                            جهت دستیابی به سرآمدی چیست

19صفحه

سرآمدی شدن یک سازمان، فرآیند پیوسته‌ایست که با برنامه‌ریزی و هدفگذاری آغاز می‌شود و در طول مسیر با ارزیابی‌های مداوم و استفاده از اهداف از پیش تعیین شده، نواقص و نارسایی‌ها مشخص شده و با اصلاحات لازم، حذف موانع و تقویت نقاط قوت انجام می‌شود.

نقطه شروع هر تغییر و بهبودی، درک و شناخت کامل از وضعیت موجود سازمان و پیدا کردن مشکلات آن است که با عنوان عارضه خوانده می‌شود. در این مقاله بطور خلاصه عارضه‌یابی براساس الگوی اروپایی EFQM که به عنوان نقطه آغازی برای ورود به جاده رشد و سرآمدی است، مورد بحث قرار گرفته است.

در بسیاری از مباحث مدیریتی، سازمان به بدن انسان تشبیه می‌شود. چرا که سازمان نیز یک موجود پویا و زنده است. همانطوری که پیش‌نیاز انجام هر درمان و بهبود در بدن انجام آزمایش‌های کامل از وضعیت بدن انسان است و هرچه دقت این آزمایش‌ها بیشتر و دقیق‌تر باشد بهبودها و فرآیند درمان مؤثرتر خواهد بود، در مورد ایجاد اصلاحات و حرکت به سوی رشد و پیشرفت سازمان نیز انجام فرآیند عراضه‌یابی همین حکم را دارد و با انجام این فرآیند سعی در یافتن معضلات و تنگناهایی داریم که ممکن است به عنوان سدی مانع حرکت سازمان در مسیر تعالی باشند.

باید بدانیم که مسیر رشد و سرآمدی یک سازمان، ساده، بی‌دردسر و کم‌هزینه نیست. در تعاریف، سازمانی متعالی خوانده می‌شود که در هر دو زمینه عملکرد و نتایج به شکل قابل اثباتی سرآمد باشد. در طی سالیان گذشته چند مدل مختلف برای سرآمدی و تعالی سازمان در سطح ملی و بین‌المللی مطرح شده است که از مهمترین آن‌ها می‌توان به الگوی "مالکوم بالدریج" در آمریکا و مدل (EFQM) در اروپا اشاره کرد. این مدل‌ها برای برنامه‌ریزی، حرکت به سمت سرآمدی و ارزیابی سرآمدی در بیشتر شرکت‌ها و سازمان‌های دنیا مورد پذیرش و استفاده قرار گرفته است. بدیهی است سازمان‌هایی که از تعال فاصله زیادی داشته و زیرساخت لازم را برای تعالی ندارند، نمی‌توانند از این مدل‌های تعالی استفاده کنند و لازم است ابتدا با انجام فرآیند عرضه‌یابی سازمانی به مشکلات و امراض سازمان پی برده و سپس با تعریف پروژه‌های بهبود، گام اول را برای آماده‌سازی خود در مسیر تعالی بردارند.

تحقیق در مورد نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه9

نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

ماده اولیه:
امروزه همه می دانند که ماده اولیه پردازنده ها همچون دیگر مدارات مجتمع الکترونیکی، سیلیکون است.در واقع سیلیکون همان ماده سازنده شیشه است که از شن استخراج می شود. البته عناصر بسیار دیگری هد در این فرایند به کار برده می شوند و لیکن از نظر درصد وزنی، سهم مجموع این عناصر نسبت به سیلیکون به کار رفته در محصول نهایی بسیار جزئی است.
آلمینیوم یکی از موارد دیگری است که در فرایند تولید پردازنده های مدرن، مس به تدریج جایگزین آلمینیوم می شود. علاوه بر آنکه فلز مس دارای ضریب هدایت الکتریکی بیشتری نسبت به آلمینیوم است،دلیل مهم تری هم برای استفاده از مس در طراحی پردازنده های مدرن امروزی وجود دارد. یکی از بزرگ ترین مسائلی که در طراحی پردازنده ها ی امروزی مطرح است، موضوع نیاز به ساختارهای فیزیکی ظریف تر است. به یاد دارید که اندازه ها در پردازنده های امروزی در حد چند ده نانو متر هستند. پس از آنجایی که با استفاده از فلز مس، می توان اتصالات ظریف تری ایجاد کرد، این فلز جایگزین آلومینوم شده است.

آماده سازی:
فرایندهای تولید قطعات الکترونیکی از یک جهت با بسیاری از فرایندهای تولید دیگر متفاوت است. در فرایندهای تولید قطعات الکترونیک، درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در حد بسیار بالایی اهمیت بسیار زیادی دارند.
اهمیت این موضوع در حدی است که از اصطلاح electronic grade برای اشاره به درجه خلوص بسیار بالایی مواد استفاده می شود.
به همین دلیل مرحله مهمی به نام آماده سازی در تمامی فرایندهای تولید قطعات الکترونیک وجود دارد. در این مرحله درجه خلوص موارد اولیه به روش های گوناگون و در مراحل متعدد افزایش داده می شود تا در نهایت به مقدار خلوص مورد نظر برسد. درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در این صنعت به اندازه ای بالاست که توسط واحدهایی مانند ppm به معنی چند اتم نا خالصی در یک میلیون اتم ماده اولیه،بیان می شوند.
آخرین مرحله خالص سازی ماده سیلیکون،به این صورت انجام می شود که یک بلور خالص سیلیکون درون ظرف سیلیکون مذاب خالص شده قرار داده می شود، تا بلور باز هم خالص تری در این ظرف رشد کند ( همان طور که بلورهای نبات در درون محلول اشباع شده به دور یک ریسمان نازک رشد می کنند ) . در واقع به این ترتیب، ماده سیلیکون مورد نیاز به صورت یک شمش تک کریستالی تهیه می شود ( یعنی تمام یک شمش بیست سانتی متری سیلیکون، یک بلور پیوسته و بدون نقض باید باشد!). این روش در صنعت تولید چیپ به روش cz معروف است. تهیه چنین شمس تک بلوری سیلیکون آن قدر اهمیت دارد که یکی از تحقیقات اخیر اینتل و دیگر شرکت های تولید کننده پردازنده، معطوف تولید شمش های سی سانتی متری سیلیکون تک بلوری بوده است. در حالی که خط تولید شمش های بیست سانتی متری سیلیکون هزینه ای معادل 5/1 میلیارد دلار در بر دارد، شرکت های تولید کننده پردازنده ، برای بدست آوردن خط تولید شمش های تک بلوری سیلیکون سی سانتی متری، 5/3 میلیارد دلار هزینه می کنند. موضوع جالب توجه در این مورد ان است که تغییر اندازه شمش های تک بلوری ، تاکنون سریع تر از یک بار در هر ده سال نبوده است. پس از آنکه یک بلور سیلیکونی غول آسا به شکل یک استوانه تهیه گشت، گام بعدی ورقه ورقه بریدن این بلور است. هر ورقه نازک از این سیلیکون، یک ویفر نامیده می شود که اساس ساختار پردازنده ها را تشکیل می دهد. در واقع تمام مدارات یا ترانزیستورهای لازم،بر روی این ویفر تولید می شوند. هر چه این ورقه ها نازک تر باشند،عمل برش بدون آسیب دیدن ویفر مشل تر خواهد شد. از طرف دیگر این موضوع به معنی افزایش تعداد چیپ هایی است که میتوان با یک شمش سیلیکونی تهیه کرد. در هر صورت پس از آنکه ویفرهای سیلیکونی بریده شدند.نوبت به صیقل کاری آنها می رسد. ویفرها آنقدر صیقل داده می شوند که سطوح آنها آیینه ای شود. کوچکترین نقص در این ویفرها موجب عدم کارکرد محصول نهایی خواهد بود. به همین دلیل،یکی دیگر از مراحل بسیار دقیق بازرسی محصول در این مرحله صورت می گیرد. در این گام،علاوه بر نقص های بلوری که ممکن است در فرایند تولید شمش سیلیکون ایجاد شده باشند، نقص های حاصل از فرایند برش کریستال نیز به دقت مورد کنکاش قرار می گیرند.
پس از این مرحله،نوبت به ساخت ترانزیستورها بر روی ویفر سیلیکونی می رسد.
برای این کار لازم است که مقدار بسیار دقیق و مشخصی از ماده دیگری به درون بلور سیلیکون تزریق شود. بدین معنی که بین هر مجموعه اتم سیلیکون در ساختار بلوری دقیقا” یک اتم از ماده دیگر قرار گیرد. در واقع در این مرحله نخستین گام فرایند تولید ماده نیمه هادی محسوب می شود که اساس ساختمان قطعات الکترونیک مانند ترانزیستور را تشکیل می دهد. ترانزیستورهایی که در پردازنده های امروزی به کار گرفته می شوند،توسط تکنولوژی CMOS تولید می شوند.CMOS مخخف عبارتComplementary Metal Oxide Semiconductor است . در اینجا منظور از واژه Complementary آن است که در این تکنولوژی از تعامل نیمه هادی های نوع n و p استفاده می شود.
بدون آنکه بخواهیم وارد جزئیات فنی چگونه تولید ترانزیستور بر روی ویفرهای سیلیکونی بشویم،تنها اشاره می کنیم که در این مرحله، بر اثر تزریق مواد گوناگون و همچنین ایجاد پوشش های فلزی فوق نازک ( در حد ضخامت چند اتم ) در مراحل متعدد، یک ساختار چند لایه ای و ساندویچی بر روی ویفر سیلیکونی اولیه شکل می گیرد. در طول این فرایند ، ویفر ساندویچی سیلیکونی در کوره ای قرار داده می شود تا تحت شرایط کنترل شده و بسیار دقیق ( حتی در اتمسفر مشخص) پخته می شود و لایه ای از sio2 بر روی ویفر ساندویچی تشکیل شود. در جدید ترین فناوری اینتل به تکنولوژی 90 نانو متری معروف است، ضخامت لایه sio2 فقط 5 اتم است! این لایه در مراحل بعدی دروازه یا Gate هر ترانزیستور واقع در چیپ پردازنده خواهد بود که جریان الکتریکی عبوری را در کنترل خود دارد ( ترانزیستورهای تشکیل دهنده تکنولوژی CMOS از نوع ترازیستورهای اثر میدانی field Efect Transistor:FET نامیده می شوند. جریان الکتریکی از اتصالی بنام Source به اتصال دیگری به نام Drain جریان می یابد. وظیفه اتصال سوم به نام Gate در این ترانزیستور، کنترل و مدیریت بر مقدار و چگونگی عبور جریان الکتریکی از یک اتصال به اتصال دیگر است ).
اخرین مرحله آماده سازی ویفر، قرار دادن پوشش ظریف دیگری بر روی ساندویچ سیلیکونی است که photo-resist نام دارد. ویژگی این لایه آخر همان طور که از نام آن مشخص

تحقیق در مورد چرا و چگونه نهضت مشروطه بوجود آمد

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد چرا و چگونه نهضت مشروطه بوجود آمد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه27

فهرست مطالب

چرا و چگونه نهضت مشروطه بوجود آمد ؟

• مشروطیت ژاپن :
• انقلابات روسیه :
• ناصرالدین شاه واندیشه تاسیس مجلس شورای دولتی
• مسافرت ایرانیان به کشورهای مترقی :
• مسافرت سید جمال الدین اسعدآبادی به ایران
• اقلیت های مذهبی :
• ایجاد حرب فراماسون درایران :

طبعا در کشورهایی که آزادی و قانون نیست طبقاتی که در اولویت مذهبی هستند مورد فشار و طعن و لحن و تجاوز علاقه مردم قرار می گیرند . مخصوصا در ممالک مسلمان که مردم بیشتر به مقاصد مذهبی علاقه مند هستند تا به وطن . در ایران هم یهود ،‌ارامنه ، زردشتی   وطرفداران مذاهب جدید از فشار و صدمات عامه مصون نبودند ودولت های وقت هم نسبت به ان هابی رحمیهایی داشتند که شاید در تاریخ کشور نظیر آن دیده شده است .  فشار روحانیون و عامه مردم به طبقاتی که در قلیت بود و طبعا آن ها را مایل به یک حکومت آزادی خواه و قانونی نمود و آرزومند بودند که روزی در تحت حمایت قانون از ستم گریهایی که به آنان شد رها شوند و از محرومیتهایی که در نتیجه ریاکاری روحانیون نصیب آنان شده بود خلاص شوند این بود که روشنفکران اقلیت ها هم با اینکه قدر ت و توانایی نداشتند و خود آنان محتاج حمایت دیگران بودند تا از آنجاییکه برای  آن ها مقدور

ممنوع بود و دولت اجازه نمی داد که مردم ایران با دنیای خارج ارتباط پیدا کنند و بویی از تمدن و آزادی ببرند. بعلاوه دوری راه – ندانستن زبان – نداشتن وسایل لازم جهت مسافرت آنان را از این کار منع می کرد.تا پیش از مشروطیت ، ایرانیانی بود که به کشورهای متمدن مسافرت می کردند که از چند صد نفر تجاوز نمیکرد و اکثر آنان برای تجارت به آن کشورها رفته و چند نفری هم برای تحصیل و عده ای هم از طرف دولت ماموریت داشتند .

و ایرانیانی که در یک محیط تاریک و نا امن زندگی می کردند با دیدن کشورهای پیشرفته و مجذوبیات آنجا بسیار شیفته آنجا می شدند .

ترقیات مادی و معنوی کشورهای اروپایی بررسی برخی ایرانیان را متوجه خود کرده بود که حتی ناصرالدین شاه      هم که مرد مستبدی  بود در شهرهایی که به فرنگستان نتوانست تحت تاثیر تزئینات گوناگون آن واقع نشود و پس از مراجعت از فرنگستان به ایران بر آن شد که عدالت خانه برپا کند ، مجلس مشاوره ای تاسیس نماید

تحقیق در مورد شناخت ریشه های بوجود آورنده استرس

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد شناخت ریشه های بوجود آورنده استرس دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*   فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)   تعداد صفحه:44

فهرست:

شناخت ریشه‌های به وجود آورنده استرس:

گذر میانسالی

گذر اواخر بزرگسالی

منابع شایع استرس:

تعدادی از منابع

حفظ نظم: دو

فشار زمانی و کار زیاد

تعارض نقش و ابهام

شرایط کاری بد:

عکس العمل نسبت استرس

تفاوت‌های فردی در تعدیل فشار روانی:

دسته‌بندی مشاغل بر حسب میزان استرس آنها:

تنیدگی وابسته به افراط و تفریط در کار:

علائم و عوارض رفتاری استرس

عوارض استرس بر کارکنان و سازمان

مقابله یا راههای پیشگیری استرس

درمانگریها و روشهای مبارزه علیه استرس:

روش های تنش زدایی با استفاده از ابزار فنی:   

تاریخچه و وضع فعلی استرس:

مطالعات انجام شده در داخل

پیشینه مطالعات خارجی

مط

در یک تقسیم بندی خاص عوامل استرس زا به دو دسته فردی و گروهی تقسیم شده‌اند. عوامل فردی حاصل خصوصیات و ویژگیهای فردی است و عوامل ایجاد کننده گروهی زاییده روابط جمعی است. بر این دو عامل می‌توان عامل توارث و خانواده را نیز اضافه کرد.

در تقسیم بندی دیگری عوامل فشارزا را به عوامل درون‌سازمانی و عوامل برون سازمانی تقسیم شده‌اند عوامل درون سازمانی را می‌تاون نوعی عوامل فشارزای گروهی به شمار آورد زیرا در محیط سازمان فرد ناگزیر به داشتن ارتباطات جمعی بوده و متقابلاً گروه نیز در او اثر دارد.

بنابراین به طور کلی می توان عوامل فشارزا را به پنج دسته عوامل ارثی ، خانوادگی، فردی، محیطی و سازمانی تقسیم کرد.

الف) عوامل ارثی:

بر طبق این نظریه بیماری پذیری ارثی یا عارضه عضوی زمینه‌ساز و همچنین رویداد و حادثه پرفشار، هر دو برای به وجود آمدن علائم بیماری روان تنی لازم تشخیص داده شده است.

ب) عوامل خانوادگی:

آدلر دریافت که در خانواده‌های کم درآمد تجارب پرفشار و وضع بد اقتصادی عملاً اثر مثبت روی نوجوانان داشته است چنان که آنها مستقل تر، کاردان تر و مسئول تر از همسالان خود در خانواده های مرفه بودند و در زندگی نیز موفقیتشان بیشتر بود.

چنان که اغلب به دانشگاه راه بافته و در کار خود موفق تر و در ازدواج خوشبخت تر به نظر می‌رسیدند.

در همین راستا کودکان کوچکتر با اتکا بیشتر به والدین خود علائم منفی فشار روانی را نشان می‌دادند و در مقابل تحت فشار بودن پدر و یا مادر ( یا تنش پدر و مادر) آسیب‌پذیر بودند و در خلال ایام پرفشار خصومت آنها قابل پیش‌بینی بود.

ج) عوامل فردی:

1. حوادث زندگی: رویدادهای پرفشار زندگی از قبیل مرگ فرد مورد علاقه ، طلاق یا جدائی همسر، جدا زندگی کردن از همسر، درگیرهای زندگی روزانه، شرایط و رویدادهای مربوط به کار و اوضاع خاص محیط مادی و معنوی توان به فشار روانی مربوط به سن اشاره کرد.

دو پژوهشگر به نامهای دکتر توماس هولمز و دکتر ریچارد راه مقیاس را مطرح کرده‌اند که نشان می دهند نتایج این تغییرات قابل توجه به حساب می‌آیند.

العات انجام شده در خارج