تحقیق در مورد تولید اعداد رندم 8 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد تولید اعداد رندم 8 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .DOC ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 8 صفحه

---

 قسمتی از متن .DOC : 

دانشگاه آزاد اسلامی – واحد مشهد

زیر نظر استاد ارجمند:

تهیه و تدوین:

تابستان 88

روش همنهشتـــی :

روش همنهشتی خطی Xn+1=(a*Xn + b) mod m ،m مشخص می کند که اعداد تصادفی تا چه مقداری تولید می شود مثلا اگر m =13 باشد . 13 عدد تصادفی می توانیم تولید کنیم.

a=2

b=1

X0=5 X1=( 2 X0 + 1)mod13

m=13

اعدادی که تولید می کند مستقل از هم است ،ولی دنباله اعداد تصادفی که تولید می شود به a وb وm وابسته است . از نظر تئوری اگر a وb خوب انتخاب شوند می تواند همه اعداد تصادفی را تولید کند .

تست آنتروپـــــــــــی :

در این روش تست ، مبنای آن احتمال آمدن هر عدد می باشد از فرمول زیر محاسبه می شود که Pi احتمال تولید عدد i - ام توسط مولد عدد تصادفی است.

مثــــال:

X1=( 2 X0 + 1)mod13

X15=7

X10=9

X5=5

X0=0

X16=2

X11=6

X6=11

X1=1

X17=5

X12=0

X7=10

X2=3

X18=11

X13=1

X8=8

X3=7

X19=10

X14=3

X9=4

X4=2

Pi

عدد

2/20

0

2/20

1

2/20

2

2/20

3

1/20

4

2/20

5

1/20

6

2/20

7

1/20

8

1/20

9

2/20

10

2/20

11

0

12

H = - ∑ Pi log Pi

هرچه آنتروپی مقدار H به H max نزدیک تر باشد این مولد بهتر عمل می کند.

Hmax = log 2 m

تست کی دو :

آزمون آماری خوبی برای تعیین یکنواختی اعداد و ارتباط با مشاهدات و انتظار مشاهده می باشد. برای نمونه های بیشتر از 50 عدد استفاده می گردد. ( N >= 50)

اساس این روش بر تقسیم بندی دسته های مشاهدات استوار است .

فراوانی اعداد تصادفی تولیدی در هر دسته را با فراوانی انتظار مشاهده مقایسه و نزدیکی آنها را می سنجد. دسته ها هیچ گونه رویهم افتادگی نباید داشته باشند تعداد ( دسته ها باید 3 یا بیشتر باشد ).

سپس کای دو را به صورت زیر می یابیم :

Chi2 = ∑ ( Oi – Ei)2

Ei

که مجموع اختلاف مشاهدات و رخ داد ، داده ها در دسته هاست . هرچه مشاهدات و انتظارات از یکدیگر فاصله بگیرند ، مقدار ( Oi – Ei)2 بیش تر می شود و لذا chi2 افزایش می یابد و چنانچه این دو یکسان باشند مقدارchi2 صفر می شود .

روال کار چنین است :

نمونه ها به n دسته تقسیم می گردند که باید n>= 3 باشد.

Oi تعداد مشاهدات در i – امین دسته.

Ei تعداد انتظار مشاهده در i – امین دسته.

= ( N/n) Ei که N تعداد کل نمونه های مشاهده شده است ( انتظار مشاهده یکسان ) .

نیاز به جدول کای دو می باشد که مقدار بحرانی را از آن می یابیم تا با chi2 حاصل مقایسه گردد.

تحقیق در مورد تکنولوژی (ساخت) 8 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد تکنولوژی (ساخت) 8 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 8 صفحه

---

 قسمتی از متن .doc : 

«تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

معرفی:

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک 2 ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.

تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:

سلول EEPROM :

این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه 5 یا 3 ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.

ساختار سلولی:

برشهای مقطعی سلولی با نماهای متفاوت در تصاویر 1A و 1B نشان داده شده اند. از دیدگاه سطح مقطع یک مسیر بیت و یک سطح مقطع SEM در تصاویر 2A و 2B نشان داده شده اند. از ترکیب سیلیکون 2 ظرفیتی برای ارتباط گیتها در امتداد یک مسیر word استفاده شده است. فلز بکار رفته در درین (drain) برای هر سلول حافظه در امتداد ردیف بیت قرار دارد.

یک سورس مشترک در هر صفحه بکار رفته است که در آن هر زوج بیت بصورت مشترک از یک سورس استفاده می کنند. با ترکیب ردیفهای زوج و فرد در یک صفحه پاک شده، عملیات صورت می گیرد. برنامه ریزی ممکن است حتی بصورت بایت بایت انجام شود و یا اینکه تمام بایتهای یک صفحه بصورت لحظه ای و به یکباره برنامه ریزی شوند. ناحیه درین از نفوذ (عمق) به میزان n+S/D برخوردار است، که لبه های آن توسط گیت کنترلی 2، تحت کنترل است. ناحیه سورس ار عمق n+S/D برخوردار است که دارای هم پوشانی با قسمت شناور است. یک سلول در دروازه شناور بمنظور کنترل آستانه (هدایت) سلول و ولتاژ مربوطه استفاده شده است. گیت انتخابی بوسیله یک کانال با پهنای 40mm از کانال (اصلی) جدا شده است. گیت شناور از کانال و نفوذ سورس به آن بوسیله کشت گرمایی (حراریی) به میزان 15nm و بصورت اکسید در گیت جدا شده است. گیت شناور از گیت کنترلی بوسیله اکسید 40nm و از لبه ها بصورت عمودی و در حد فاصل بین گیتها با اکسید 200nm جدا شده است. انژکتور ایجاد کننده تونل در گیت شناور بصورت اکسیداسیون چندگانه سیلیکونی عمل می کند و فرم (شکل) انجام اکسیداسیون بصورت «bird beak» می باشد که بر روی یک سیلیکون کریستالی صورت می گیرد. یک ترکیب سیلیکون دو ظرفیتی را می توان در گیت کنترلی بمنظور کاهش مقاومت ردیف word استفاده کرد.

2-3 طرح شماتیک آرایه سلولی:

طرح سلولی نشان داده شده در شکل 3A نحوه سازماندهی و ترتیب قرارگیری منطقی آرایه حافظه را نشان می دهد. مدار معادل این ترکیب بهمراه نشان دادن ظرفیت خازنی بین مسیرها در شکل 4 نشان داده شده است. برای سلول حافظه گیت مجزا کانال بین درین و سورس بوسیله ترکیبی از ترانزیستور گیت مورد نظر و ترانزیستور گیت حافظه کنترل می شود. ترانزیستور حافظه دارای آستانه منفی کم یا زیاد می تواند باشد که این امر به میزان بار الکتریکی ذخیره شده در یک گیت شناور بستگی دارد. در طول عملیات خواندن اطلاعات، این ولتاژ مرجع در گیت کنترلی و گیت انتخابی و via در مسیر word بکار گرفته می شود. ولتاژ مرجع با انتخاب ناحیه کانال، اعمال می شود. اگر گیت شناور قبلاً برنامه ریزی شده باشد، بخشی از ترانزیستور حافظه بصورت عایق باقی می ماند و سیگنال را انتقال نخواهد داد. اگر گیت شناور پاک شده باشد، این سلول حافظه، هادی خواهد بود. حالت هدایت خروجی از نظر منطقی با «1» و حالت عایقی (غیرهادی) با «0» نشان داده می شود. در شکل 3A بخشی از یک آرایه حافظه ترتیبی را که با 8 سلول حافظه چیده شده است و سازمان دهی شده و در آن سلولهای حافظه در 2 ستون، با 2 مسیر سورس و 8 ردیف word قرار گرفته اند، نشان داده شده است. تصویر 3B یک سلول حافظه معادل را نشان می دهد که چگونگی ایجاد وضعیت منطقی برای سلول گیت مجزا بمنظور ترانزیستور انتخابی مورد نظر و ترانزیستور حافظه را نشان می دهد. ولتاژ اعمال شده به ترمینال در هر مرحله در جدول 1 ارائه شده است. در طی عملیات پاک کردن کانال براساس ولتاژ مسیر word جهت گیری کرده و از حالت اولیه منحرف می شود. در طی برنامه ریزی کانال (گاهی) دچار تخلیه می شود. نسبتهای ترویجی (Coupling) در طی دورة پاک کردن و برنامه ریزی متفاوت است. بنابراین در طول

تحقیق در مورد کابل و کابل کشی 8 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق در مورد کابل و کابل کشی 8 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 8

کابل و کابل کشی

کابل های فشار ضعیف و متوسط بیش از 90% کابلهای جریان زیاد دارای عایقی از کاغذ آغشته به روغن می باشند .

    بدین معنی که سیمها با نوارهای کاغذی باند پیچی شده و سپس به نوعی از روغن معدنی غلیظ اغشته می شوند.

     چنین کابلی را " کابل کم روغن " می نامیم از 1 تا 60 هزار ولت ساخت و نرم شده اند

سیم کابل از مس المینیوم است و می تواند یک لا یا چند لا ( طنابی ) باشد .سیم‌های چندلا نرم تراست وقابلیت انحنای آن نیزنسبت به کابل باسیم یک لابیشتراست.

سیم های طنابی به مقطع گردوبخصوص درکابل  های سه سیمه وچهارسیمه از 1تا 10 هزارولت بشکل سکتوروبیضی نیزساخته می شوند.

کاغذ بصورت نوارباریک به ضخامت 1/0تا 15/0 میلیمتر به شکل مارپیچی روی سیم پیچیده می شود پیچیده می شود وقبل ازاینکه کاغذآغشته به روغن شود ، سیم عایق شده رادرخلاء وحرارت زیادبا دقت خشک می کنند ودرهمین حالت سیم عایق شده ازداخل منبع روغن بادرجه حرارت   C 120-110 عبورداده می شود. درنتیجه روغن که دراین درجه حرارت بسیار سیال است درداخل کاغذنفوذکرده وتمام خلل وفرج کاغذراپرمی کند

دردرجه حرارت معمولی روغن کابل تقریبا سفت است

ونمی تواند درداخل کابل مثلا بعلت پستی وبلندی مسیر کابل جریان پیداکند. برای جلوگیری ازنفوذ رطوبت بداخل کابل ،سیم عایق شده بایک غلاف فلزی پوشانده می شود وبه همین جهت دوانتهای کابل نیز باسرکابل مخصوصی مقدارکمی آنتیمون وروی مخلوط دارد. این اضافات باعث می شوندکه سرب قدری سخت ترشده وپایداری واستقامت آن درمقابل خورندگی وکروزیون بیشترشود.دربعضی از کابل ها بجای سرب از غلاف آلومینیومی بدون درز استفاده می شود. مشکل ساختمانی این نوع کابل دردرجه حرارت زیاد ذوب آلومینیوم است

کابل های باغلاف آلومینیومی بخوبی کابل های سربی خم نمی شوندوانعطاف پذیرنیستند ولی درعوض به مراتب سبکترازکابل های سربی هستند. غلاف آلومینیومی بایددرمقابل کروزیون وخورندگی بخوبی حفاظت شود. این موضوع برای غلاف سربی نیز نیزصادق است، مگراینکه کابل درمکان کاملا خشک (لوله های بتونی خشک) ویادرداخل ساختمان کشیده شود. غلاف کابل علاوه براینکه تحت تأثیرعوامل شیمیایی قرارمی گیرد، به علت جریان هائی که اززمین عبورمی کند ،تحت تأثیرعوامل الکترولیتی نیزواقع می شوند.لذا بایدکابل از نظرالکتریکی نیزعایق باشد به همین جهت غلاف سربی توسط کاغذ قیر اندودشده بانداژ می شودوروی آن راباموادی شبیه قیروگونی می پوشانند.

کابلهائی که به طورآزاد درزیرزمین کشیده می شوند همگی تحت تأثیرنیروی مکانیکی سطحی نیز قرارمی گیرندکه باعث فرورفتگی هائی درکابل استقامت الکتریکی کابل در این نقاط تنزل می کند . لذا اینگونه کابلها که باید فشارهای خارجی را نیز تحمل کنند شامل زرهی از تسمه های فولا دی می شود و بهمین جهت بنام کابلهای زرهی معروف هستند زره فولادی نیز برای جلوگیری از زنگ زدگی و خورندگی با قشری ازقیروگونی ویا مواد مصنوعی p   v c پوشانده می شود کابلهایی که تحت کشش زیاد نیز قرار میگیرند 0(مثل کابل هایی که در معادن زیرزمینی به کار برده می شوند و یا کابل هایی که از رودخانه و یا دریاچه میگذرند )بازره فولادی از تسمه های.باریک –مفتول های گرد و یا پروفیل پوشانده می شوند .شکل 1 مقطع یک کابل سه فاز را باسیم گرد و سیم سکتوری نشان می دهد

سه رشته سیم پس از عایق شدن در ضمن اینکه اطراف خالی ان با الیاف کنفی یا پنبهای پر می شود بصورت طناب بهم پیچیده می شود و مقطع دایره ای شکل پیدا می کند . برای جلوگیری از باز شدن وریختن الیافها ودر ضمن آماده کردن کابل دور آن را با چند لا نوار کاغذ بصورت کمربند باند پیچی می کند و بخاطر همین باند کاغذی کمربندی این نوع کابل بنام"کابل کمربندی"معروف است.

کابل های کمربندی با رشته سیم های سکتوری دارای قطر کمتری نسبت به کابل های با رشته سیم دایره ای شکل هستند بهمین جهت سبکتر و قابلیت انحنای انها نیز بیشتر است.ولی به خاطر اینکه حوزه الکتریکی اطراف ان غیریکنواخت است نمی توان در اختلاف سطح های زیاد نیز از ان استفاده کرد و بهمین جهت فقط در کابلهای تاولتاژ KV10 از مقطع سکتوری استفاده میشود

در گذشته که هنوز کابل های با عایق مصنوعی (PVC)رواج پیدا نکرده بود از کابلهای کمر بندی چها رسیمه برای توز یع برق شهری با اختلاف سطح 220-380 ولت نیز استفاده می شد.

شکل 2 چنین کابلی را در مقطع نشان می دهد .

تحقیق درباره آغاز وپایان جهان در قرآن 8 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق درباره آغاز وپایان جهان در قرآن 8 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 9

آغاز و پایان جهان در قرآن

قبل از هرچیز به این نکته اشاره می کنیم که ما قصد تحلیل علمی قرآن را نداریم زیرا هیچ کس قادر به رسیدن به تفسیر علمی کامل از قرآن نیست حتی یک آیه از آن. علم ما بسیار کم تر از فهم این آیه ها است. اما این یک تلاش با وجود محدودیت های علمی شخصی ما است. علی رغم این که علم ما محدود است ولی دیگران که علم بیشتری دارند و تخصص بیشتری دارند می توانند تحقیق کنند تا راز های بیشتری از قرآن را برای دیگران آشکار سازند.

در این مقاله ما به بعضی از آیه های قرآن که در سوره الانبیا است نگاهی می اندازیم. این آیه ها ما را به تفکر در مورد خالق و یکتایی اش از طریق اثبات هایی بسیار عقلی و علمی دعوت می کند. این آیه ها در مورد آغاز و ادامه و پایان جهان صحبت می کنند. دانشمندان تلاش کردند تا به بعضی از سوال ها از جمله اینکه جهان چگونه به این یکتایی و نظم به وجود آمده، چگونه با این نظم به حیات خود ادامه می دهد و پایانش چگونه خواهد بود پاسخ دهند. آن ها مواد ستارگان و سیارات را بررسی کردند و آن ها را یکسان یافتند. آنها نحوه حرکت ستارگان و مسیری که طی می کنند را مشاهده کردند و چگونگی حرکت سیارات اطراف آن ها را بررسی کردند. آن ها اندازه و طول عمر ستارگان را محاسبه کردند و مشاهده کردند که قوانین مخصوصی بر حرکت، مواد و اجرام آن ها حاکم است و از برنامه های خاصی تبعیت می کنند بنابراین نتیجه گرفتند که باید از یک منبع سر منشا گرفته باشند. بنابراین فرض کردند که احتمالا در ابتدا یک ماده فشرده وجود داشته که در یک محیط بسیار محدود و پر فشار قرار گرفته بوده. سپس در یک لحظه انفجاری بزرگ رخ داده که باعث شده این ماده به امواج تبدیل شود. این امواج در یک لحظه درکیهان منتشر شده اند. به خاطر سرمای شدید کیهان، این امواج به سرعت به اتم تبدیل شده اند. سپس این اتم ها به ستارگانی تبدیل شدند که حرکت، تشعشعات و طول عمرشان از یک قانون یکسان پیروی می کند! این ستارگان همچنین به گروه هایی تقسیم بندی شدند که قوانین بین گروه ها نیز یکسان می باشد.

اما عقل انسان حکم می کند که یک انفجار نمی تواند منجر به ایجاد این یکسانی حیرت انگیز شود. بلکه بر عکس انفجار منجر به نابودی و عدم تعادل می گردد و نمی تواند چنین آسمان و زمین زیبا با سیستم هایی که از قوانین دقیقی پیروی می کنند به وجود آورد.( بعد از انفجار انتروپی به شدت افزایش می یابد و مواد باقی مانده روبه بی نظمی می گذارند ولی بعد از انفجار بزرگ نه تنها بی نظمی به وجود نیامده بلکه همان طور که می بینیم نظم و شعور حیرت انگیزی در میان کوچک ترین ذرات گرفته تا بزرگ ترین ستارگان وجود دارد و این چیزی به غیر از تجلی اسما و صفات الهی نیست. مترجم.

هیچ کس حقایق خلقت ستارگان را نمی داند اما خالق این ستارگان از همه آن ها اطلاع دارد. خداوند در آخرین سوره ای که به محمد صلوات الله علیه و آله نازل کرد بسیاری از حقایق علمی را در مورد ستارگان به محمد آشکار کرد. اجازه بدهید ببینیم الله (جل جلاله) چگونه نظر ما را به حقایق علمی از طریق سوالی در مورد شروع دنیا جلب می کند و به هدایت او به جواب سوال دقت می کنیم. حال آیه ۳۰ از سوره الانبیا را می خوانیم:

أَوَلَمْ یَرَ الَّذِینَ کَفَرُوا أَنَّ السَّمَاوَاتِ وَالأرْضَ کَانَتَا رَتْقًا فَفَتَقْنَاهُمَا وَجَعَلْنَا مِنَ الْمَاءِ کُلَّ شَیْءٍ حَیٍّ أَفَلا یُؤْمِنُونَ (٣٠(

آنان که ناباور شده اند، آیا ندانند که آسمان ها و زمین به هم پیوسته بوده اند و ما آن ها را از هم جدا کردیم و هر چیز زنده را از آب آفریدیم ؟ پس آیا ایمان نمی آورند"۳۰ انبیا

توضیح علمی ( یا تلاشی برای توضیح:

در این آیه ما به سوالی بر می خوریم که از کافرانی پرسیده شده است که دخالت خداوند در شروع خلقتی با این نظم و زیبایی را تکذیب می کنند. سوال این است: آیا این شروع، بعد از اینکه آن ها آن را مشاهده کردند، فقط با شانس انجام شده است؟ توسط دو کلمه رَتْقً وفَتَق ، خداوند تمامی جملات آن ها را که آن اتفاق را توضیح می دهد، خلاصه می کند. کافرانی که تلاش می کنند یکتایی جهان را توضیح دهند می گویند "ماده بسیار فشرده" و "انفجار بزرگ در یک لحظه" و " خنک شدن ناگهانی" و غیره. نظر آن دانشمندان در مورد اینکه دنیا از یک نقطه شروع شده است درست می باشد. قرآن چنین نقطه ای را با کلمه عربی " رَتْقً" که به معای الیاف یا مواد به هم پیچیده و متصل است تشریح می کند. اما اشتباه دانشمندان مادی گرا آن است که فکر می کنند این ماده به تنهایی تبدیل به چنین نظمی شده است.

آنها برای اینکه به نتایج علمی درست برسند باید اقرار کنند که تمامی این اتفاقات توسط قدرت خالق هستی و بر اساس خواسته اش صورت

تحقیق درباره مهندسی پی ترجمه 8 ص

اختصاصی از یاری فایل تحقیق درباره مهندسی پی ترجمه 8 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 9

مهندسی پی

ترجمه متن انگلیسی برنامه SEEP/W (فصل هشتم)

استاد راهنما:

مهندس ایمان باقرپور

تهیه کنندگان:

عبدالجلیل سلاقی ـ وحید حزبی

دانشگاه آزاد واحد گرگان

فهرست مطالب

عنوان صفحه

شبیه سازی شبکه جریان ................................................................................3

خطوط هم پتانسیل .......................................................................................4

خطوط جریان .............................................................................................4

کانال های جریان .............................................................................................5

مقدار جریان ......................................................................................................6

فشار up lift .......................................................................................................6

محدودیت ها ....................................................................................................6

نتیجه گیری ......................................................................................................7

شبیه سازی شبکه جریان :

تراوش جریان از طریق واسطه ایزوتروپیک تحت شرایط پایدار توسط معادله لاپلاس به صورت ‎‎زیر توصیف می شود .

x 2)+(δ2 h/δy2) +(δ2h/δz2)=0 δ h/ ( δ2

معادله فوق یکی از اساسی ترین معادلات دیفرانسیل شناخته شده در ریاضیات می باشد . یک راه حل نموداری برای این معادله چیزی است که به عنوان شبکه جریان شناخته شده است .

یک شبکه جریان در حقیقت رسم خطوط هم پتانسیلی است که خطوط جریان را قطع می کند .برای رسم شبکه جریان ، خطوط هم پتانسیل و خطوط جریان باید از قوانین معینی پیروی کنند . مثلا" خطوط جریان و خطوط هم پتانسیل در نقطه برخورد باید عمود بر هم باشند . ناحیه بین دو خط جریان مجاور هم ، یک کانال جریان نامیده می شود . یک شبکه جریان از حل معادله دیفرانسیل لاپلاس بدست می آید .

قبل از به کار گرفته شدن کامپیوترها و روش های عددی از قبیل تجزیه و تحلیل جزئی محدود ، شبکه های جریان اغلب تنها روش موجود برای حل مسائل تجزیه و تحلیل تراوش یا نشت بودند .

اکثر متن های کتاب هایی که بخشی در مورد تراوش و نشت دارد ، درباره چگونگی ساخت و تفسیر شبکه های جریان صحبت می کند . با وجود سادگی ظاهری ، ساخت شبکه جریان دقیق که کل خواسته ها را برآورده سازد، کاری دشوار می باشد . ولی اکنون که کامپیوتر ها و نرم افزار ها در دسترس هستند تکیه بر راه حل های دیفرانسیلی برای معادله لاپلاس شبکه جریان ضروری نیست . و راه حل های عددی کار ساخت شبکه جریان را بسیار ساده کرده است . برای مثال شبکه های جریان برای ساخت stratigraphy پیچیده یا هنگامی که هر دو جریان اشباع شده و اشباع نشده وجود داشته باشد یا هنگامی که جریان موقتی است ، تقریبا" غیر ممکن می باشد .

با یک نرم افزار مانند Seep-W این حالت ها می تواند به آسانی در یک تجزیه و تحلیل نشت در نظر گرفته شود . Seep-W یک شبکه جریان حقیقی ایجاد نمی کند زیرا شبکه های جریان تنها برای موقعیت های خاص می تواند ایجاد شود . ولی به هر حال بسیاری از ارکان شبکه جریان را محاسبه می کند که برای تفسیر نتایج در زمینه اصول شبکه جریان ، مفید هستند . برای مثال خطوط جریان باید تقریبا" عمود بر خطوط هم پتانسیل باشند. اَشکالی مانند این ، یک نقطه کنترل برای قضاوت روی نتایج Seep-W نشان می دهد . این فصل حالت های ساده ای را بیان می دارد که برای آن یک شبکه جریان تقریبی می تواند ایجاد شود . همچنین مثال هایی نشان داده شده که برای آنها ایجاد شبکه جریان ممکن نیست .

خطوط هم پتانسیل :

Seep-W بر اساس هد کلی هیدرولیکی فرموله شده است . خط تراز هد کلی ،معادل خطوط هم پتانسیل می باشد ، بنابراین خطوط هم پتانسیل می تواند به وسیله ایجاد منحنی هایی از خطوط تراز هد کلی کشیده و نشان داده شود . خطوط تراز کلی با خطوط هم پتانسیل در شبکه جریان معادل است . در شکل (8-1) هشت افت پتانسیل هر یک به عرض یک متر وجود دارد .