دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .
لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه:20
فهرست مطالب
DRAM (گذشته ، امروز ، آینده)
مقدمه :
قسمت اول , ساختمان و خصوصیات DRAM :
پارامترهای کلیدی Timing در یک DRAM :
طراحی DRAM :
Technology Trends
دیگر تکنولوژیهای حافظه :
DRAM در بازار :
DRAM های خاص
دلایل استفاده از DRAM
کاربردهای DRAM
SOI DRAM
تکنولوژی SOI در یک نگاه
فواید SOI برای DRAM
پارامترهای کلیدی در طراحی DRAM
طراحی Memory از SOI
نتایج
نتیجه گیری و آینده :
هدف نهایی :
مقدمه :
همانطوریکه می دانیم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تکنولوژی به حافظه برای تجهیزات مختلف نیازمند است . یکی از انواع حافظه ها DRAM یا Dynamic Random memory می باشد که این DRAM ها مصارف مختلفی دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهای دیگر صنعتی.
برای ساخت DRAM در تکنولوژیهای مختلفی استفاده شده است که ما در اینجا از ساده ترین DRAM ها شروع می کنیم که از یک ترانزیستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM های 1k و 4k و 16k و ... می پردازیم . و نهایتاً یکی از تکنولوژیهای جدیدی که در ساخت DRAM ها بکار رفته است را شرح می‌دهیم . این تکنولوژی های ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) می باشد .
بنابراین بطورکلی این روژه از 2 قسمت تشکیل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضیح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقایسه و کاربرد آنها و ... می باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضیح راجع به تکنولوژی SO1 و کاربرد آن در DRAM می باشد .
شرح پروژه :
قسمت اول , ساختمان و خصوصیات DRAM :
DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است که حالت ساده آن به شکل زیر است که از یک ترانزیستور ساده و خازن و یک AMP تشکیل شده است .
DRAM ها دارای خصوصیاتی از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شکل زیر مشخص است و عیب این روش area می باشد . علاوه بر این ، 2 خصوصیت عمده از DRAM ها ذکر شده است که عبارتند از :
1-Stacked cell(Expand up) : طبق شکل
2-Trench cell(Expand Down) : طبق شکل
همانطوریکه گفته شد DRAM می تواند عمل Read و Write را انجام دهد .
برای عمل write باید bitline یا در حالت high باشد یا low و word line باید از موقعیت high باشد .
اما برای عمل Read bitline در وضعیت precharge است تا ولتاژ halfway شود (یعنی حالت high و Low) و باز هم Word Line در وضعیت high است .
در DRAM یک AMP حسی داریم که وضعیت charge را آشکار می کند و این Charge به خازن وابسته است .
توجه به این نکته ضروری است که DRAM ها به refresh نیاز دارند (برعکس SRAM ها) زیرا دارای جریان نشتی هستند . همچنین آدرسها در DRAM به 2 قسمت تقسیم می شود :
1-RAS (Row Access Strobe)
2-Cas (Column Access Strobe)
